[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200610162404.6
• 申請日: 2006-11-22
• 公開（公告）號: CN101097918A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 江間泰示;淺野正義;姊崎徹;有吉潤一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L27/092;H01L21/822;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的半導體襯底；

第二導電類型的第一阱，其形成在該半導體襯底中，該第二導電類型是與該第一導電類型相反的類型；

第一導電類型的第二阱，其形成在該半導體襯底中的第一阱旁邊；以及

第二導電類型的第三阱，其形成在該半導體襯底中的第二阱旁邊，該第三阱比該第二阱深，

其中，在該半導體襯底中的第二與第三阱之間形成有第一導電類型的第四阱，該第四阱比該第二阱深。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中該第四阱還形成在該半導體襯底中的第一阱與第二阱之間。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中該第一阱比該第二阱深。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中該第四阱形成為圍繞該第三阱。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

在該半導體襯底中的第一阱旁邊形成有第一導電類型的第五阱；以及

在該第一阱和該第五阱中均形成具有CMOS結構的MOS晶體管。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

在該半導體襯底中的第三阱旁邊并排形成有第一導電類型的隔離阱和第二導電類型的第六阱；以及

該第三阱與該第六阱通過該隔離阱彼此隔離。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在上述第一阱至第三阱中分別形成有第一至第三MOS晶體管。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在該半導體襯底中形成有閃存單元。

9.一種半導體器件的驅動方法，該半導體器件包括：

第一導電類型的半導體襯底；

第二導電類型的第一阱，其形成在該半導體襯底中；

第一導電類型的第二阱，其形成在該半導體襯底中的第一阱旁邊，該第二導電類型是與該第一導電類型相反的類型；以及

第二導電類型的第三阱，其形成在該半導體襯底中的第二阱旁邊，該第三阱比該第二阱深，

其中：

在該半導體襯底中的第二與第三阱之間形成有第一導電類型的第四阱，該第四阱比該第二阱深；以及

施加到該第三阱上的電壓絕對值大于施加到該第一阱上的電壓絕對值和施加到該第二阱上的電壓絕對值中的任一個。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的驅動方法，其中該第四阱還形成在該半導體襯底中的第一阱與第二阱之間。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的驅動方法，其中該第一阱比該第二阱深。

12.根據權利要求9所述的半導體器件的驅動方法，其中該第四阱形成為圍繞該第三阱。

13.根據權利要求9所述的半導體器件的驅動方法，其中：

在上述第一至第三阱中分別形成有第一至第三MOS晶體管；以及

該第三MOS晶體管的工作電壓高于該第一MOS晶體管的工作電壓和該第二MOS晶體管的工作電壓中的任一個。

14.根據權利要求9所述的半導體器件的驅動方法，其中在該半導體襯底中形成有閃存單元。

15.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在第一導電類型的半導體襯底中形成第二導電類型的第一阱，該第二導電類型是與該第一導電類型相反的類型；

在該半導體襯底中的第一阱旁邊形成第一導電類型的第二阱；

在該半導體襯底中的第二阱旁邊形成第二導電類型的第三阱，該第三阱比該第二阱深；以及

在該半導體襯底中的第二與第三阱之間形成第一導電類型的第四阱，該第四阱比該第二阱深。

16.根據權利要求15所述的半導體器件的制造方法，其中在形成該第四阱的步驟中，該第四阱形成為通過增大該第三阱的外形獲得的平面形狀，以圍繞該第三阱。

17.根據權利要求15所述的半導體器件的制造方法，還包括以下步驟：

在形成該第四阱的步驟中，在該半導體襯底中的第一阱旁邊形成第一導電類型的第五阱；以及

在該第一阱和該第五阱中均形成具有CMOS結構的MOS晶體管。