[發明專利]模具制造方法有效
| 申請號: | 200610161878.9 | 申請日: | 2006-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN101097399A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | 金珍郁;南研熙 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;祁建國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模具 制造 方法 | ||
本申請要求享有2006年6月30日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2006-0061020的優先權,在此引為其內容作為參考。?
技術領域
本發明涉及一種在制造半導體集成電路以及平板顯示器中使用的模具的制造方法。?
背景技術
通常的集成電路和平板顯示器包括由多層薄膜實現的多個電路,該多層薄膜由半導體材料、絕緣材料、導電材料以及過濾材料形成。某些所述多層薄膜經構圖而形成于基板上。?
圖案薄膜可以通過使用諸如抗蝕劑圖案蝕刻掩模的構圖工序形成。該抗蝕劑圖案通過將抗蝕劑涂覆到蝕刻的薄膜上、曝光以及顯影工序形成。曝光工序需要曝光掩模和曝光設備以對該抗蝕劑薄膜選擇性地曝光。由于該曝光掩模和曝光設備,該曝光工序增加了諸如設置該曝光掩模的額外工作。?
以這種方式,包含該曝光工序的抗蝕劑的構圖方法具有復雜的工序,并且半導體集成電路芯片和平板顯示器的產出率將惡化。另外,由于隨著圖案變得更精細以及圖案面積變得更大,曝光掩模和曝光設備的價格增加,因此包括曝光工序的構圖方法造成半導體集成電路芯片和平板顯示器的制造成本增加。?
為了解決利用曝光工序的構圖方法中的問題,已經提出了沒有曝光工序的IPP(共平面印刷)方法。該IPP方法通過使用其內形成圖案的模具將所需的圖案轉印到圖案目標薄膜或抗蝕劑上來形成圖案薄膜或抗蝕劑圖案。該模具包含彈性材料,在該材料中有凹陷和凸起的微小圖案。?
該模具通過如圖1A和1B所示的傳統制造方法制造。參考圖1A,在形成有第一圖案13的主基板11上,形成諸如PDMS(聚二甲基硅氧烷)的熱固化樹脂15。該主基板11由硅或玻璃形成,并且該第一圖案13由諸如二氧化硅、?硅的氮化物和金屬的無機材料以及諸如抗蝕劑和蠟的有機材料其中之一形成。?
此后,通過加熱使主基板11上的樹脂層15硬化。然后,將存在于樹脂層15內且沒有硬化的一系列PDMS釋放(discharge)到與主基板11接觸的表面以保持該樹脂層15的表面能為恒定值。換句話說,樹脂層15僅具有恒定的表面特性(例如,親脂特性)。?
如圖1B所示,將熱固化樹脂層15與主基板11分離。該分離的樹脂層15在其下表面上具有凹陷,該凹陷是通過雕刻出主基板11上的第一圖案13的形狀而形成的。具有凹陷的樹脂層15用作對半導體集成電路和平板顯示器的基板上的圖案目標薄膜或抗蝕劑進行構圖的模具。?
然而,IPP構圖方法根據圖案目標薄膜的材料、工藝條件以及圖案而需要具有不同表面能的模具。為了滿足IPP構圖方法的要求,有時候將進行使用SAMS(自組裝單層)重整(reforming)樹脂層表面(也就是,該模具)的額外工作。該表面重整的工作使該模具的制造更復雜。?
另外,由于制造樹脂層的傳統模具通過一輪工序而熱硬化,因此將內部溶劑釋放到外部將造成樹脂層形狀的變形。?
發明內容
因此,本發明提出了一種制造模具的方法,其實質上避免了由于現有技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。?
因此,本發明的一個目的是提供一種通過輕易改變表面能而制造具有所需表面特性的模具的方法。?
本發明的另一目的是提供一種能夠避免模具變形的制造模具的方法。?
根據本發明的一個技術方案,提供一種制造模具的方法,包括:?
在主基板和透明模具基板之間形成光可聚合樹脂層,其中在所述主基板上形成有第一圖案;通過將所述樹脂層曝光于透過所述透明模具基板的第一UV光而第一次硬化該樹脂層;通過在所述樹脂層與所述模具基板結合的情況下將已硬化的該樹脂層與所述主基板分離而形成第二圖案,其中所述第二圖案以凹陷形式位于所述樹脂層上對應所述第一圖案的部分處;以及通過將已硬化的該樹脂層直接曝光于第二UV光而第二次硬化已硬化的該樹脂層,從而獲得模具;其中,通過調節第一次和第二次硬化步驟中的第一和第二UV光強度和照射周期其中至少之一來改變該樹脂層的表面能;所述通過調節第一次和第二次硬化步驟中的第一和第二UV光強度和照射周期其中至少之一來改變該樹脂層的表面能包括:為了降低模具的表面能,在第一次硬化步驟的條件相同的情況下,在第二次硬化步驟中增加第二UV光強度和照射周期;以及,為了降低模具的表面能,在第二次硬化步驟的條件相同的情況下,增加第一UV光強度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





