[發明專利]離子源

無效

• 申請號: 200610157068.6
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN101192497A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 凌維成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01J27/02
• 分類號: H01J27/02;H01J37/08;C23C14/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種真空鍍膜輔助設備，尤其涉及一種用于離子輔助鍍膜的離子源。

背景技術

傳統真空鍍膜設備是在真空條件下用電子束將膜料加熱至蒸發溫度，使其蒸發并沉積在基材上形成薄膜以達到鍍膜的目的。但是，被蒸發的膜料原子的能量低，所鍍膜層的附著力差、密度低，薄膜的性質受環境影響大、易脫落、不穩定。此外，電子蒸發時，電子槍的柵極電壓為6000-10000V，容易引起高壓放電打火，影響薄膜的質量。

為增加真空鍍膜的附著力、密度，在電子束蒸發過程中需使用離子源對基材進行轟擊，實現離子輔助鍍膜的目的。離子輔助鍍膜對膜料原子的撞擊可使形成的薄膜的光譜特性特別穩定、吸水性減少、折射率升高和粗糙度降低，這是因為離子助鍍后膜堆積密度升高，膜變得更致密，因此吸水量變少，光譜特性也因此不會飄移，折射率變大而且穩定。

如圖1所示，一種現有的離子源100由陰極120、陽極140、磁路150和供氣系統(未標示)組成，該陰極120包括一陰極燈絲121和兩陶瓷絕緣墊122和123。磁路150在放電室130內形成磁場，磁力線由陰極120下部的磁極發出經放電室進入頂部磁極160。離子源100在真空狀態作業時，由供氣系統提供的工作氣體(氬氣)和反應氣體(如氧氣)由供氣管道110進入到放電室130內。與此同時，陰極燈絲121被加熱至熱電子發射溫度，陽極140被施以正電位。在電場的作用下，陰極燈絲121發射的部分電子沿磁力線以螺旋運動的方式向陽極140遷移，在放電室內與氣體原子或分子發生碰撞，并將其電離。在電離過程中產生的電子繼續向陽極140遷移，產生的離子將在放電室130電場的作用下被加速并與陰極燈絲121產生的部分電子中和后形成等離子體射出離子源100，具有一定能量的等離子體對基材進行直接轟擊以進行鍍前清洗，或轟擊薄膜表面以與薄膜表面原子進行能量交換進而實現離子輔助鍍膜。

在鍍膜過程中，上述陰極燈絲121在工作中會發射熱電子而損耗，使得該陰極燈絲121變得越來越細而斷開。該陰極燈絲121的斷開會造成離子源斷路，在更換陰極燈絲221之間通常要打破真空狀態使得鍍膜過程中斷。

發明內容

有鑒于此，提供一種防止鍍膜過程中斷的離子源實為必要。

以下將以實施例說明一種防止鍍膜過程中斷的離子源。

該離子源包括一個本體，該本體包括一放電室；一陽極，設置在該放電室內，該本體的頂部設置一開口，在該本體的頂部與該開口相鄰處設置有陰極電極，該陰極電極與該陽極相對設置，該離子源還包括多個夾持臂，每個夾持臂包括夾持部和與夾持部相連的絕緣部，該夾持部的另一端夾持有陰極燈絲，該絕緣部的另一端與該本體樞軸連接，經由轉動該夾持臂可使其夾持部與該陰極電極形成電連接并使其陰極燈絲位于所述開口位置以與該陽極形成電氣回路。

相對于現有技術，所述離子源經由設置樞軸連接在本體上的多個夾持有陰極燈絲的夾持臂，且該多個夾持臂均設置有夾持部及由該夾持部夾持的陰極燈絲。經由轉動該多個夾持臂之一可使其夾持部與該陰極電極形成電連接并使其陰極燈絲位于上述開口位置，使與陰極電極導通的陰極燈絲受激發射出電子。當陰極燈絲因變細而斷開后，可經由轉動切換該夾持臂以使另一陰極燈絲與陽極形成電氣回路，從而保證該離子源正常運作以避免鍍膜過程中斷。

附圖說明

圖1是一種現有技術中的離子源的剖面示意圖。

圖2是本發明第一實施例離子源的立體結構示意圖。

圖3是圖2中沿III-III的剖面示意圖。

圖4是本發明第二實施例離子源的立體結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

請參考圖2，本發明第一實施例的離子源200包括一個本體210，夾持臂220及230。該夾持臂220，230與該本體210樞軸連接。

該本體210的頂部設置一開口260，在該本體210的頂部與該開口260相鄰處設置有陰極電極250。為使該夾持臂220，230與該本體210樞軸連接，可在與該本體210的頂部相鄰的側壁上設置有一對轉軸240。優選的，該轉軸240的軸線與該陰極電極250的中心軸線位于同一平面。該陰極電極250為兩個金屬塊，該兩個金屬塊相對設置在該開口260兩側，其形狀可為任意形狀，如圓柱狀。該陰極電極250的材料可為導電材料如銅，金。