[發明專利]一種硅薄膜光電池的電極圖案及蝕刻方法

無效

• 申請號: 200610156980.X
• 申請日: 2006-11-23
• 公開（公告）號: CN101192627A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 熊正根;周志芳;李毅
• 申請（專利權）人: 李毅
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;C23F1/14
• 代理公司: 深圳市毅穎專利商標事務所
• 代理人: 張藝影;李奕暉

1.一種硅薄膜光電池的電極圖案，包括非晶硅、多晶硅，其特征在于鋁背電極4對應前電極2的導電區域，是由蝕刻漿料在鋁膜上絲印蝕刻而制成的導電圖案，其中至少包含圓形、圓環、條形、扇形、直線在內的導電區域。

2.一種導電膜蝕刻劑，其特征在于蝕刻劑是一種在鋁膜電極4上絲印的油墨，按原料的重量配比：

硫酸銅??????5-15％

三氯化鐵????15-25％

增稠劑??????25-35％

氧化劑??????0.2-0.6％

無水乙醇????5-15％

消泡劑??????0.1-0.5％

水??????????40-60％

3.根據權利要求2所述的一種導電膜蝕刻劑，其特征在于所說的增稠劑是淀粉，亦可以是甲基纖維素、羥丙基纖維素、黃原膠中的一種。

4.根據權利要求2所述的一種導電膜蝕刻劑，其特征在于所說的氧化劑是過硫酸銨。

5.根據權利要求2所述的一種導電膜蝕刻劑，其特征在于所說的消泡劑是W-090。

6.根據權利要求2所述的一種導電膜蝕刻劑，其特征在于所說水是一種去離子水。

7.一種導電膜蝕刻的方法，其特征是：

制備蝕刻油墨：取3-7份重量的去離子水，1-3份重量的硫酸銅，1-3份三氯化鐵，0.3～0.8wt％過硫酸銨，2～4份的淀粉，攪拌，溫度為60℃，最后加入w-090(0.1～0.5％)和無水乙醇(2～5wt％)；

制備絲網：按照導電圖案設計

絲網印制鋁背電極膜：將蝕刻油墨漏印在鋁膜表面，直接進行腐蝕，得到相應的圖案。

8.根據權利要求7所述的一種導電膜蝕刻的方法，其特征是

絲印后的鋁膜，室溫條件，水平放置3～5分鐘，后放入60～100℃的烘箱中30～60分鐘；清水浸泡去雜質，再放入80～100℃的烘箱中去水。

9.一種非晶硅太陽能電池背電極的制造方法，其特征是

制備絲網：多條等距離腐蝕隔離線；

制備油墨：取50克去離子水，10克硫酸銅，20克三氯化鐵，0.5克消泡劑W-090，30克淀粉，10克無水乙醇

絲網印制鋁背電極膜：將蝕刻油墨通過絲網漏印在鋁膜表面上，

水平放置3分鐘，直接進行腐蝕，得到相應的圖案。

10.根據權利要求9所述的一種非晶硅太陽能電池背電極的制造方法，其特征是

制備絲網：電池片中間具有一圓形窗口，周邊有多條腐蝕隔離線；

制備油墨：取55克去離子水，8克硫酸銅，22克三氯化鐵，0.6克過硫酸銨，攪拌后加入35淀粉，11克10克無水乙醇和0.5克消泡劑W-090，

絲網印制鋁背電極膜：將蝕刻油墨通過絲網漏印在鋁膜表面上，

水平放置5分鐘，直接進行腐蝕，得到相應的圖案。

絲網印制鋁背電極膜：將蝕刻油墨通過絲網漏印在鋁膜表面上，

水平放置3分鐘，直接進行腐蝕，得到相應的圖案。