[發明專利]一種硅薄膜光電池的電極圖案及蝕刻方法無效
| 申請號: | 200610156980.X | 申請日: | 2006-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN101192627A | 公開(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發明(設計)人: | 熊正根;周志芳;李毅 | 申請(專利權)人: | 李毅 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18;C23F1/14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 光電池 電極 圖案 蝕刻 方法 | ||
所屬技術領域
本發明涉及一種硅薄膜光電池圖案的蝕刻技術,確切的說是生產非晶硅太陽能電池,鋁背電極圖案的蝕刻劑及蝕刻方法。
背景技術
目前,硅薄膜太陽能電池生產,尤其是集成式非晶硅太陽能電池生產,鋁背電極制備,一般采用掩膜架蒸鋁,形成電池組之間的隔離線,稱為干法,包括激光、離子束蝕刻等技術。對于隔離線較寬或圖案復雜的異形曲線,一般采用濕法,化學蝕刻技術。見中國專利03124018.6公開了“一種蝕刻劑及蝕刻方法”通過濕蝕刻對金屬膜形成的圖案的蝕刻劑,用于生產半導體元件。用于多層膜上,這種多層膜具有鋁或鋁合金構成的由各含至少一種選自氮,氧、硅和碳元素的鋁鋁合金構成的第二層,進行蝕刻。中國專利200410038200.2“使用非晶硅碳罩幕蝕刻鋁層的方法”,用無機非晶硅形成碳罩幕。之后利用碳罩幕并以等離子體蝕刻鋁層,設備昂貴,工藝復雜,成本高。
另外,非晶硅光電池的鋁背電極制備,采用濕蝕刻方法,是將抗蝕油墨絲印于玻璃基片的鋁膜層上,形成集成背電極圖形后,經烘干固化,再送入鋁膜蝕刻液中,將裸露的鋁膜蝕刻掉。這是先保護,后腐蝕,即將部分鋁膜用抗蝕油墨保護起來,再腐蝕其中未保護的鋁膜。采用此法來腐蝕鋁膜需要腐蝕槽盛裝蝕刻液,工藝復雜,前后需要多道工序,而且大量的用蝕刻液,容易對環境和設備造成污染,腐蝕液會滲透到ITO薄膜和硅薄膜層,影響電池電性能。
發明內容
針對以上現有技術的分析,對硅薄膜太陽能電池(以下可以簡稱薄膜電池或光電池)的鋁背電極蝕刻,無論是采用干法還是濕法技術,均存在一些不足。尤其用濕蝕刻加工鋁背電極,相對成本較高,在蝕刻硅薄膜電池的鋁背電極時,雖然可以制作復雜圖案,但在腐蝕鋁膜的過程中,腐蝕液容易滲透到抗蝕油墨層下面的ITO導電膜,腐蝕導電膜影響電池性能。掩膜架蒸鋁,雖然被常規生產硅光電池所普遍采用,但對于形狀特殊硅光電池,掩膜架不像現有幾條隔離直線那么簡單,窗口不僅僅是方的,亦可能是圓的或其它復雜圖案,這掩膜架設計是難以實現的。
本發明的目的之一,提供一種具有復雜圖案的硅薄膜電池,鋁背電極對應前電極,圖案可以是圓形、圓環、條形、扇形、正N邊形及其它不規則形狀構成。
另一個目的,在傳統的干法和濕法兩難的情況下,提供一種介乎于兩者之間的,用一種蝕刻油墨,涂在鋁膜背電極上,通過一次性操作蝕刻掉鋁膜,完成鋁背電極圖案的蝕刻。
再一個目的,提供一種能夠在鋁背電極上印制的蝕刻劑,對疊層結構的硅薄膜電池不會造成污染。
為了實現本發明任務,按照以下的技術解決方案:一種硅薄膜光電池的電極圖案,包括非晶硅、多晶硅,其特征在于鋁背電極4對應前電極2的導電區域,是由蝕刻漿料在鋁膜上絲印蝕刻而制成的導電圖案,其中至少包含圓形、圓環、條形、扇形、直線在內的導電區域。
按照以下的技術解決方案,一種導電膜蝕刻劑,其特征在于蝕刻劑是一種在鋁膜電極4上絲印的油墨,按原料的重量配比:
硫酸銅??????????5-15%
三氯化鐵????????15-25%
增稠劑??????????25-35%
氧化劑??????????0.2-0.6%
無水乙醇????????5-15%
消泡劑??????????0.1-0.5%
水??????????????40-60%
所說的增稠劑是淀粉,亦可以是甲基纖維素、羥丙基纖維素、黃原膠中的一種。
氧化劑是過硫酸銨;消泡劑是W-090;水是一種去離子水。
按照以下技術解決方案,一種導電膜蝕刻的方法,其特征是:
制備蝕刻油墨:取3-7份重量的去離子水,1-3份重量的硫酸銅,1-3份三氯化鐵,0.3~0.8wt%過硫酸銨,2~4份的淀粉,攪拌,溫度為60℃,最后加入w-090(0.1~0.5%)和無水乙醇(2~5wt%);
制備絲網:按照導電圖案設計
絲網印制鋁背電極膜:將蝕刻油墨漏印在鋁膜表面,直接進行腐蝕,得到相應的圖案。絲印后的鋁膜,在室溫條件下,水平放置3~5分鐘,后放入60~100℃的烘箱中30~60分鐘;清水浸泡去雜質,再放入80~100℃的烘箱中去水。
按照以下技術解決方案,制備一種常規的非晶硅太陽能電池,鋁背電極的制造方法,其特征在于制備絲網:多條等距離腐蝕隔離線;
制備油墨:取50克去離子水,10克硫酸銅,20克三氯化鐵,0.6克過硫酸銨,0.5克消泡劑W-090,30克淀粉,10克無水乙醇
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





