[發明專利]頂部發光型有機發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 200610156846.X
• 申請日: 2006-11-15
• 公開（公告）號: CN101188246A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 黃榮龍;彭家鵬
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/84;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種有機發光二極管(Organic?Light?EmittingDiodes，OLED)及其制造方法，特別涉及一種頂部發光型有機發光二極管及其制造方法。

背景技術

有機發光二極管是一種高效的光電子轉換裝置，因具有自發光、廣視角、高應答速度、可撓曲及高亮度等優點而越來越受到業界觀注。

有機發光二極管依據出光角度不同可分為底部發光型(Bottom?Emitting?Type)有機發光二極管與頂部發光型(TopEmitting?Type)有機發光二極管。

請參閱圖1，是一種現有技術頂部發光型有機發光二極管的剖視圖。該頂部發光型有機發光二極管10包括一透明絕緣基板100、一薄膜晶體管結構120及一有機發光結構140。該透明絕緣基板100定義連續分布的一薄膜晶體管區101與一有機發光區102。該薄膜晶體管結構120與該有機發光結構140分別設置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區101與有機發光區102上。

該薄膜晶體管結構120包括一摻雜半導體層121、一第一絕緣層122、一柵極123、一第二絕緣層124、三連接孔151、153、155、一源極125、一漏極126及一鈍化層127。該摻雜半導體層121為一島狀結構，其設置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區101上。該第一絕緣層122覆蓋具有該摻雜半導體層121的透明絕緣基板100。該柵極123形成在該摻雜半導體層121對應的第一絕緣層122表面。該第二絕緣層124覆蓋該柵極123與該第一絕緣層122表面。該第一連接孔151與該第二連接孔153貫穿該第一絕緣層122與該第二絕緣層124，并在兩連接孔151、153處暴露出部分摻雜半導體層121。該源極125與漏極126填充兩連接孔151、153，從而實現與該摻雜半導體層121的電連接，并與該第二絕緣層124部分交疊。該鈍化層127覆蓋該源極125、該漏極126及該第二絕緣層124，其上表面為一平坦平面，具有一貫穿該鈍化層127的第三連接孔155，該第三連接孔155暴露出該漏極126。

該有機發光結構140包括一陰極隔離體(Inter-insulator)141、一透明陽極142、一金屬反射層143及自下而上依次層疊設置在該有機發光區102所對應鈍化層127表面的一電洞注入層(Hole?Injection?Layer，HIL)144、一有機發光層(Organic?Emission?Layer)145、一電子注入層(Electron?TransferLayer，ETL)146、一陰極(Cathode)147及一透明電極層148。該透明陽極142覆蓋該鈍化層127，并經由該第三連接孔155與該漏極126電連接。該金屬反射層143為利用濺鍍法形成在該透明陽極142表面的具有高反射率的金屬薄膜。該陰極147為一利用濺鍍法形成在電子注入層146表面的具有一定透明度的金屬薄膜，其厚度小于10納米(nm)，材料通常為銀(Argentum)或鋁(Aluminium)。該透明陽極142及該透明電極層148的材料可為氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium?ZincOxide，IZO)。該陰極隔離體141近似呈一“T”形，其豎直部分填充沉積有該透明陽極142的第三連接孔155，水平部分為部分覆蓋該透明陽極142的梯形結構，其厚度大致等于設置在該有機發光區102上的該有機發光結構140的各層厚度之和。

當該頂部發光型有機發光二極管10外加一電壓后，該電洞注入層144與該電子注入層146分別輸出電洞與電子至該有機發光層145形成電洞-電子對再結合，電洞-電子再結合過程所釋放出能量將有機發光層145分子中電子電激激發，從而釋放出光能，部分光能以光形式放出。其中，部分光直接經由該電子注入層146、陰極147及該透明電極層148出射，另一部分光經由該金屬反射層143反射后出射。