[發明專利]頂部發光型有機發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 200610156846.X
• 申請日: 2006-11-15
• 公開（公告）號: CN101188246A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 黃榮龍;彭家鵬
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/84;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種頂部發光型有機發光二極管，其包括一透明絕緣基板與設置在該透明絕緣基板上的一薄膜晶體管結構與一有機發光結構，該透明絕緣基板上定義連續分布的一薄膜晶體管區與一有機發光區，該薄膜晶體管結構包括一摻雜半導體層、一源極及一漏極，該摻雜半導體層設置在該薄膜晶體管區，該源極與該薄膜晶體管區對應的漏極部分分別與該摻雜半導體層電連接，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區對應的源極與漏極，該有機發光區包括一透明陽極、一電子注入層、一有機發光層及一電洞注入層，其特征在于：該有機發光區對應的漏極部分作為該頂部發光型有機發光二極管的陰極反射層，該電子注入層、有機發光層及該電洞注入層自下而上依次層疊設置在該陰極反射層表面，該透明陽極覆蓋該電洞注入層與該薄膜晶體管結構。

2.如權利要求1所述的頂部發光型有機發光二極管，其特征在于：該薄膜晶體管結構進一步包括一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層及兩連接孔，該第一絕緣層覆蓋該摻雜半導體層及該透明絕緣基板表面，該柵極位于該摻雜半導體層對應的第一絕緣層表面，該第二絕緣層覆蓋該柵極與該第一絕緣層，該源極與漏極分別利用該兩連接孔與該摻雜半導體層電連接，該兩連接孔貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，且在兩連接孔處暴露出該摻雜半導體層。

3.如權利要求1所述的頂部發光型有機發光二極管，其特征在于：該薄膜晶體管結構進一步包括一鈍化層，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區對應的源極與漏極，其兼作為該頂部發光型有機發光二極管的陰極隔離體。

4.如權利要求3所述的頂部發光型有機發光二極管，其特征在于：該鈍化層的材料為具有高感光特性的有機材料。

5.如權利要求1所述的頂部發光型有機發光二極管，其特征在于：該源極及漏極為具有高反射率的導電材料。

6.一種頂部發光型有機發光二極管制造方法，其特征在于：步驟一，提供一透明絕緣基板，其上定義連續分布的一薄膜晶體管區與一有機發光區；步驟二，依次形成一摻雜半導體層、一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層及兩連接孔在該透明絕緣基板表面；步驟三，利用一道掩膜刻蝕制造工藝形成一源極與一漏極，該源極與漏極填充該兩連接孔，且該漏極覆蓋該有機發光區對應的第二絕緣層表面，從而形成該頂部發光型有機發光二極管的陰極反射層；步驟四，形成一覆蓋該源極、漏極及第二絕緣層的鈍化層，從而構成一薄膜晶體管結構；步驟五，依次形成一電子注入層、一有機發光層及一電洞注入層在該陰極反射層表面，并在該電洞注入層與該鈍化層表面形成一透明陽極。

7.如權利要求6所述的頂部發光型有機發光二極管制造方法，其特征在于：該摻雜半導體層的制造步驟包括：沉積一多晶硅材料層在該透明絕緣基板表面，圖案化該多晶硅材料層使該其形成一活性層，對該活性層進行摻雜，從而在對應該薄膜晶體管區的透明絕緣基板表面形成該摻雜半導體層。

8.如權利要求6所述的頂部發光型有機發光二極管制造方法，其特征在于：該柵極的制造步驟包括：依次沉積一柵極金屬層在該第一絕緣層表面，圖案化該柵極金屬層，從而在該摻雜半導體層對應處形成柵極。

9.如權利要求6所述的頂部發光型有機發光二極管制造方法，其特征在于：該鈍化層的材料為高感光特性的有機材料，其兼作為該有機發光二極管的陰極隔離體。

10.如權利要求9所述的頂部發光型有機發光二極管制造方法，其特征在于：鈍化層的制造步驟包括：涂布一鈍化材料層于具有該源極、漏極及第二絕緣層的透明絕緣基板上，利用一道曝光顯影制造工藝圖案化該鈍化材料層，從而形成該鈍化層。