[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的金屬層結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610156443.5 | 申請日： | 2006-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN101154648A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金鐘勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 楊生平;楊紅梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 金屬 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，包括：
將連接至接觸塞的第一金屬層；和
以第二間隔距離平行形成在第一金屬層周圍的多個第二金屬層，
其中最接近第一金屬層的第二金屬層間隔距離保持為第二間隔距離，其寬于圍繞接觸塞的第二金屬層的第一間隔距離，并且近鄰第一金屬層的第二金屬層的間隔距離保持為第三間隔距離，其窄于第二間隔距離，并且相鄰的第二金屬層之間的間隔距離逐漸減小，并且對于離第一金屬層最遠(yuǎn)的第二金屬層而言，所述間隔距離最終等于第一間隔距離。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中第二金屬層具有對應(yīng)于在接觸塞周圍第一金屬層和接觸塞重疊長度1.2-2.0倍的長度，由此第二金屬層保持與第一金屬層的間隔距離，其寬于第一間隔距離。
3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中相鄰的第二金屬層之間的間隔距離隨第二金屬層遠(yuǎn)離第一金屬層而逐漸減少1nm-10nm。
4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中接近第一金屬層的第七個第二金屬層與第八個第二金屬層之間的間隔距離保持為第一間隔距離。
5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中第一間隔距離為100nm，第二間隔距離為115nm。
6.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中形成第二金屬層，以在緊鄰第二金屬層的間隔距離變得更寬的區(qū)域上具有第一和第二寬度，其窄于第一寬度。
7.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中第二金屬層的寬度隨著第二金屬層遠(yuǎn)離第一金屬層而減小1nm-10nm。
8.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件的金屬層結(jié)構(gòu)，其中第一寬度為100nm。
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