[發明專利]制造包括栓塞的半導體器件的方法

有效

• 申請號: 200610156430.8
• 申請日: 2006-12-31
• 公開（公告）號: CN101145541A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 韓基賢;南基元
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括；

在襯底上形成絕緣層；

利用硬掩模圖案來蝕刻絕緣層以形成接觸孔；

用導電層填充接觸孔；

蝕刻導電層以在接觸孔中形成栓塞；

移除殘留的硬掩模圖案以暴露栓塞的上部，并且使所述上部突出在絕緣層上方；和

在突出的栓塞上和在栓塞上部周圍形成金屬線。

2.權利要求1的方法，其中移除殘留的硬掩模圖案包括利用蝕刻選擇性以允許硬掩模圖案的蝕刻快于栓塞的蝕刻。

3.權利要求2的方法，其中硬掩模圖案的蝕刻比栓塞的蝕刻快2～3倍。

4.權利要求3的方法，其中栓塞包括鎢層，硬掩模圖案包括基于氮化物的層。

5.權利要求4的方法，其中移除殘留的硬掩模圖案包括利用C₄F₆、SF₆和Cl₂的氣體混合物作為蝕刻氣體來實施蝕刻過程。

6.權利要求5的方法，其中C₄F₆氣體的流量為約20sccm～約80sccm，SF₆氣體的流量為約10sccm～約20sccm，Cl₂氣體的流量為約50sccm～約150sccm。

7.權利要求3的方法，其中栓塞包括鎢層，硬掩模圖案包括多晶硅。

8.權利要求7的方法，其中移除殘留的硬掩模圖案包括利用HBr和Cl₂的氣體混合物作為蝕刻氣體來實施蝕刻過程。

9.權利要求8的方法，其中HBr氣體的流量為約100sccm～約300sccm，Cl₂氣體的流量為約10sccm～約50sccm。

10.權利要求1的方法，其中蝕刻導電層以形成栓塞包括實施主蝕刻過程以移除殘留在硬掩模圖案上的導電層和實施過蝕刻過程以提供低于硬掩模圖案上表面的栓塞上表面。

11.權利要求10的方法，其中導電層包括鎢層，并且過蝕刻過程蝕刻鎢層至一定厚度，該厚度大于鎢層的蝕刻目標厚度約30％。

12.權利要求1的方法，其中殘留的硬掩模圖案具有約200或更大的厚度。

13.權利要求1的方法，其中蝕刻導電層，使其上表面低于硬掩模圖案的上表面。

14.權利要求1的方法，其中通過移除硬掩模圖案而暴露的栓塞上部具有至少200的高度。

15.權利要求14的方法，其中通過移除硬掩模圖案而暴露的栓塞上部具有不大于500的高度。

16.權利要求1的方法，其中金屬線圍繞栓塞上部的側壁，所述側壁具有至少200的高度。

17.權利要求1的方法，其中栓塞包括鎢、鋁、銅或其組合。