[發明專利]電流模式脈寬調制升壓電路及其反饋信號感測方法

無效

• 申請號: 200610152468.8
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN101154884A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 余建朋;王一誠;顏業烜
• 申請（專利權）人: 臺灣類比科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02M3/155;H02M3/156;H02M3/157
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孟銳;王蘭鳳

技術領域

本發明涉及一種電流模式脈寬調制升壓電路(current?mode?pulse?width?modulationboost?circuit)及其反饋信號感測方法，明確地說涉及一種具有直接感測電感電流(inductorcurrent)和斜率補償斜坡信號(slope?compensation?ramp?signal)功能的電流模式脈寬調制升壓電路及其反饋信號感測方法。

背景技術

圖1是常規的一電流模式脈寬調制升壓電路10，其包含一升壓單元11、一分壓電路19、一誤差放大器12、一比較器13、一電感電流產生器(inductor?current?generator)14、一斜率補償斜坡產生器(slope?compensation?ramp?generator)15、一振蕩器16、一脈寬產生器17和一緩沖器(buffer)18。一電壓V_IN通過所述升壓單元11進行升壓以產生一較高的直流輸出電壓V_OUT。所述升壓單元11包含一輸入電容C1、一升壓電感L、一MOS晶體管T、一整流二極管D和一輸出電容C2。所述輸入電容C1是用以濾掉所述電壓V_IN的紋波電壓(ripple?voltage)。當所述MOS晶體管T處于導通狀態，所述整流二極管D為逆向偏壓，此時電流將順向流經所述升壓電感L，而使所述升壓電感L的電壓上升；然而電流并非瞬間流經所述升壓電感L，而是呈線性增加，因此會建立一電磁場。此時，當所述MOS晶體管T處于導通狀態時，輸出的電流完全由所述輸出電容C2提供。當所述MOS晶體管T處于截止狀態時，所述升壓電感L已無法再存儲能量，因此所述升壓電感L中所存儲的所述電磁場將被釋放出來；此時，所述升壓電感L上的電壓極性將被反轉，使得所述升壓電感L釋放其所存儲的能量到所述輸出電容C2，同時使得所述整流二極管D連接所述升壓電感L的一端(即節點N3)得到比所述電壓V_IN還高的電壓，這股能量提供一負載電流，并且同時再為所述輸出電容C2充電。所述分壓電路19是由兩個串聯電阻R1和R2所構成。一分壓電壓V_F1則由一連接所述電阻R1和R2的節點N2取出，送到所述誤差放大器12和一參考電壓V_REF進行比較，以產生一誤差信號EO。隨后，所述誤差信號EO將通過所述比較器13與一反饋信號V_SUM進行比較。所述比較器13的輸出(即V_F2)則和一來自所述振蕩器16的振蕩信號S1一同輸入到所述脈寬產生器17。所述脈寬產生器17所產生的一驅動信號S_DR再經所述緩沖器18產生的一閘極控制信號S_G以調整所述MOS晶體管T導通的時間(即，調整所述驅動信號S_DR的脈沖持續時間(pulse?duration))，進而控制所述直流輸出電壓V_OUT。