[發(fā)明專利]電流模式脈寬調制升壓電路及其反饋信號感測方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610152468.8
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN101154884A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 余建朋;王一誠;顏業(yè)烜
• 申請（專利權）人: 臺灣類比科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02M3/155;H02M3/156;H02M3/157
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孟銳;王蘭鳳

1.一種反饋信號感測方法，其應用于一電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于包含以下步驟：

(a)提供一具有一周期的脈寬調制信號；

(b)在所述周期的一脈沖持續(xù)時間內，通過一電流源對一電容充電，以形成一等效斜率補償斜坡信號；

(c)在所述脈沖持續(xù)時間內，使一流經一升壓電感的電感電流流經一等效電阻，以形成一等效電感電流信號；和

(d)利用所述電容的耦合特性，并配合所述等效斜率補償斜坡信號和所述等效電感電流信號以形成一反饋信號。

2.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述脈寬調制信號在所述脈沖持續(xù)時間內用以導通一位于所述電流模式脈寬調制升壓電路內部的開關。

3.根據權利要求2所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述開關是一MOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述等效斜率補償斜坡信號是一電壓信號且由下式定義：

I_s×DT_s/C

其中I_s表示所述電流源的電流，DT_s表示所述脈沖持續(xù)時間，C表示所述電容的電容值。

5.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述等效斜率補償斜坡信號是一跨于所述電容兩端的電位差。

6.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述等效電阻是一處于導通狀態(tài)的MOS晶體管。

7.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述等效電感電流信號是一電壓信號且由下式定義：

V_IN×DT_s×Rds/L

其中V_IN是一產生所述電感電流的電壓源的電壓，DT_s表示所述脈沖持續(xù)時間，Rds表示所述等效電阻，L表示所述升壓電感的電感值。

8.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述反饋信號是所述等效斜率補償斜坡信號和所述等效電感電流信號之和。

9.根據權利要求1所述的反饋信號感測方法，其特征在于所述反饋信號取自所述電流源與所述電容的接點。

10.一種電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于包含：

一升壓單元，包含一升壓電感和一開關，所述升壓電路將一電壓進行升壓以產生一直流輸出電壓；

一分壓電路，其利用所述直流輸出電壓產生一分壓電壓；

一誤差放大器，其比較一參考電壓與所述分壓電壓以產生一誤差信號；

一比較器，其比較所述誤差信號與一反饋信號以產生一第一信號；

一脈寬產生器，其接收所述第一信號和一來自一振蕩器的第二信號以產生一第三信號，其中所述第三信號用以控制所述開關；和

一反饋信號產生單元，其與所述升壓單元耦合以產生所述反饋信號，其中所述反饋信號包含一流經所述升壓電感的等效電感電流信號和一等效斜率補償斜坡信號。

11.根據權利要求10所述的電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于所述升壓單元進一步包含：

一整流二極管，其與所述升壓電感與所述開關的接點連接；和

一輸出電容，其連接在所述二極管與一接地端之間以產生所述直流輸出電壓。

12.根據權利要求11的所述電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于所述分壓電路包含：

一第一電阻，其與所述整流二極管連接；和

一第二電阻，其連接在所述第一電阻與所述接地端之間，其中所述分壓電壓取自所述第一電阻與所述第二電阻的接點。

13.根據權利要求10所述的電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于進一步包含一緩沖器，所述緩沖器與所述脈寬產生器的輸出端連接，用于提升所述第三信號的驅動能力以控制所述開關。

14.根據權利要求10所述的電流模式脈寬調制升壓電路，其特征在于所述反饋信號產生單元包含：

一電容，其一端與所述升壓電感與所述開關的接點耦合；和

一電流源，其與所述電容的另一端點耦合。