[發(fā)明專利]1.0微米高壓CMOS制造工藝

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610148732.0
• 申請(qǐng)日: 2006-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN101211851A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.一種1.0微米高壓CMOS制造工藝，包括普通CMOS制造工藝，其特征在于，還包括：

一BN層制造步驟，該BN層通過與周圍的N阱、P阱相連而使與P型襯底隔離開來，所述隔離的P阱作為HVPMOS的漏區(qū)的高壓擴(kuò)展層；

一柵層制造步驟，通過兩次柵氧分別實(shí)現(xiàn)LVMOS和HVMOS所要求的柵氧厚度，使之既保持LVMOS的特性，又使HVMOS的柵極可以工作在高壓；

調(diào)整外延層的厚度和摻雜濃度以及N阱和P阱的結(jié)深和摻雜濃度使HVNMOS和HVPMOS的漏極都工作在高壓。

2.如權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，只通過一次Blank?Vt注入從而同時(shí)調(diào)節(jié)LVMOS和HVMOS的Vt。

3.如權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，所述HVMOS的柵極工作在20V，而所述HVNMOS和HVPMOS的漏極工作在40V。

4.如權(quán)利要求1所述的制造工藝，其特征在于，包括：

BN層制造步驟；

雙阱制造步驟；

場(chǎng)氧隔離區(qū)制造步驟；

柵層制造步驟；

NLDD注入步驟；

PS?Spacer形成步驟；

NMOS/PMOS源漏極注入步驟；

BPSG淀積和致密化步驟；

接觸孔光刻和刻蝕步驟；

金屬布線和鈍化層制造步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，所述BN層制造步驟包括：P型襯底、Pad氧化、氮化硅淀積、BN光刻、氮化硅刻蝕、BN注入、BN推進(jìn)、BP注入、氧化層全拋、外延生長(zhǎng)。

6.如權(quán)利要求4所述的制造工藝，其特征在于，所述雙阱制造步驟包括在外延上通過光刻定義，離子注入和熱推進(jìn)實(shí)現(xiàn)N/P阱結(jié)構(gòu)，且N阱與BN層相連接，實(shí)現(xiàn)對(duì)P阱的隔離。