[發明專利]1.0微米高壓CMOS制造工藝

無效

• 申請號: 200610148732.0
• 申請日: 2006-12-30
• 公開（公告）號: CN101211851A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 梁博
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸嘉

1.一種1.0微米高壓CMOS制造工藝，包括普通CMOS制造工藝，其特征在于，還包括：

一BN層制造步驟，該BN層通過與周圍的N阱、P阱相連而使與P型襯底隔離開來，所述隔離的P阱作為HVPMOS的漏區的高壓擴展層；

一柵層制造步驟，通過兩次柵氧分別實現LVMOS和HVMOS所要求的柵氧厚度，使之既保持LVMOS的特性，又使HVMOS的柵極可以工作在高壓；

調整外延層的厚度和摻雜濃度以及N阱和P阱的結深和摻雜濃度使HVNMOS和HVPMOS的漏極都工作在高壓。

2.如權利要求1所述的制造工藝，其特征在于，只通過一次Blank?Vt注入從而同時調節LVMOS和HVMOS的Vt。

3.如權利要求1所述的制造工藝，其特征在于，所述HVMOS的柵極工作在20V，而所述HVNMOS和HVPMOS的漏極工作在40V。

4.如權利要求1所述的制造工藝，其特征在于，包括：

BN層制造步驟；

雙阱制造步驟；

場氧隔離區制造步驟；

柵層制造步驟；

NLDD注入步驟；

PS?Spacer形成步驟；

NMOS/PMOS源漏極注入步驟；

BPSG淀積和致密化步驟；

接觸孔光刻和刻蝕步驟；

金屬布線和鈍化層制造步驟。

5.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，所述BN層制造步驟包括：P型襯底、Pad氧化、氮化硅淀積、BN光刻、氮化硅刻蝕、BN注入、BN推進、BP注入、氧化層全拋、外延生長。

6.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，所述雙阱制造步驟包括在外延上通過光刻定義，離子注入和熱推進實現N/P阱結構，且N阱與BN層相連接，實現對P阱的隔離。