[發明專利]電容器裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200610147783.1
• 申請日: 2006-12-22
• 公開（公告）號: CN101207128A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 許允埈
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1.一種電容器裝置，其特征在于包括：

一半導體襯底，其上具有數個插塞；

一第一內介電層，位于該半導體襯底上；

一蝕刻終止層，位于該第一內介電層上；

一第二內介電層，位于該蝕刻終止層上；

一T字型溝槽，其貫穿該第一內介電層、該蝕刻終止層與該第二內介電層，且所述插塞自該T字型溝槽底端曝露出；

一擴散阻擋層，其位于該T字型溝槽內的四周壁上；

一下電極層，其位于該T字型溝槽內的該擴散阻礙層上；

一介電層，其覆蓋于該下電極層、該擴散阻礙層與該第二內介電層的表面；

一上電極層，其位于該介電層上。

2.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該擴散阻礙層的材料為氮化鈦、氮化硅鈦或氮化鋁鈦中的一種或多種。

3.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該下電極的材料選自白金、釘、氧化釕、氧化釘、銥、氧化銥、氧化銥中的一種或多種。

4.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該上電極層的材料選自白金、釘、氧化釕、氧化釘、銥、氧化銥、氧化銥中的一種或多種。

5.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該介電層的材料選自鈦酸鋇鍶、氧化鉭中的一種或多種。

6.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該插塞的材料為多晶硅。

7.如權利要求1所述的電容器裝置，其特征在于：該蝕刻終止層的材料為氮化物。

8.一種電容器的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

提供一半導體襯底，其上形成有數個插塞；

在該半導體襯底上依次沉積一第一內介電層、一蝕刻終止層與一第二內介電層；

對該第二內介電層、該蝕刻終止層與該第一內介電層進行蝕刻，以形成一T字型溝槽；

在該T字型溝槽內依次形成一擴散阻礙層與一下電極層；

在該半導體襯底上形成一介電層；

在該半導體襯底上沈積一上電極層。

9.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該擴散阻礙層的材料選自氮化鈦、氮化硅鈦、氮化鋁鈦中的一種或多種。

10.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該下電極的材料選自白金、釘、氧化釕、氧化釘、銥、氧化銥、氧化銥中的一種或多種。

11.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該上電極層的材料選自白金、釘、氧化釕、氧化釘、銥、氧化銥、氧化銥中的一種或多種。

12.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該介電層的材料選自鈦酸鋇鍶、氧化鉭中的一種或多種。

13.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該插塞的材料為多晶硅。

14.如權利要求8所述的電容器的制造方法，其特征在于：該蝕刻終止層的材料為氮化物。