[發(fā)明專利]SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610147414.2
• 申請日: 2006-12-18
• 公開（公告）號: CN101207122A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇慶
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/60
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括P型襯底，在所述P型襯底上包括有N阱注入?yún)^(qū)和P阱注入?yún)^(qū)；在所述N阱注入?yún)^(qū)內(nèi)包括有一個P型注入?yún)^(qū)和一個N型注入?yún)^(qū)，所述N阱注入?yún)^(qū)內(nèi)的P型注入?yún)^(qū)和N型注入?yún)^(qū)之間被一個場氧化層隔離區(qū)隔開；在所述P阱注入?yún)^(qū)也包括有一個P型注入?yún)^(qū)和一個N型注入?yún)^(qū)，所述P阱注入?yún)^(qū)的P型注入?yún)^(qū)和N型注入?yún)^(qū)之間有若干二極管單元，所述二極管單元由P型注入?yún)^(qū)和N型注入?yún)^(qū)以及位于二者之間的場氧化層隔離區(qū)組成，其特征在于，在所述N阱注入?yún)^(qū)內(nèi)的P型注入?yún)^(qū)與所述P阱注入?yún)^(qū)的N型注入?yún)^(qū)之間的場氧化層隔離區(qū)的上面設(shè)置有多晶硅，所述多晶硅連接有一個觸發(fā)電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二極管單元的個數(shù)可以根據(jù)需要的維持電壓設(shè)定。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SCR防靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述觸發(fā)電路包括一個電阻和一個電容，所述電阻的一端與所述多晶硅相連接，所述電容的一端也與所述多晶硅相連接，所述電阻的另一端接地，所述電容的另一端連接到ESD電荷注入端。