[發明專利]內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法

有效

• 申請號: 200610147328.1
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101202115A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 秦碩詣
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，尤其涉及一種無需預留專門的測試管腳內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法。

背景技術

目前，作為DFT(可測性設計，Drive?Fitness?Test)設計技術的一種，在設計內置非揮發性存儲器芯片時，通常需預留測試管腳(PIN)，以用來區分電路處于測試狀態還是正常工作狀態。但是這樣導致了電路需要多一個PAD，使得面積增大，芯片的成本也隨之提高。尤其在對芯片面積要求很高，可使用的PIN的數目非常有限，無法為測試單獨設置一個PIN甚至連復用都變得無法實現時，這種方法的缺點尤其突出。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，可在不預留專門的測試管腳的情況下實現對所述芯片的測試，并能夠從測試狀態轉換到工作狀態下，從而可減小芯片的面積，也不會對芯片的其他正常功能造成任何影響。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，包括以下步驟：

(1)將芯片內置的非揮發性存儲器尋址范圍內的初始地址值設為表征測試模式的值，將其他值設為表征正常工作模式的值；

(2)在所述非揮發性存儲器的尋址范圍外引入一個額外的附加地址，用于存放狀態標志值；

(3)使用一個二輸入比較器來實現測試模式和正常工作模式間的切換；所述比較器的一端固定輸入的預定義數據為所述非揮發性存儲器尋址范圍的初始值，另一端輸入由所述附加地址所指向的所述狀態標志值；當所述狀態標志值為所述非揮發性存儲器尋址范圍的初始值時，所述比較器將輸出使所述芯片工作在測試模式下的信號；而當所述狀態標志值為其他值時，所述比較器將輸出使所述芯片工作在正常工作模式下的信號。

本發明由于采用了上述技術方案，具有這樣的有益效果，即通過在芯片內置存儲器的尋址范圍之外引入一個表征芯片處于測試模式還是正常工作模式的狀態標志位，從而實現了所述芯片能夠在測試模式和正常工作模式之間轉換，而無需在芯片上增加額外的測試管腳來實現上述功能，從一定程度上減小了芯片的面積，降低了成本；而且由于所述狀態標志值的地址是在所述芯片內置存儲器的尋址范圍之外的，因此當所述芯片處于正常工作模式時，無法再訪問和修改所述狀態標志值，由此保證了處于正常工作模式時的芯片不會再誤進入測試模式，從而確保了數據的安全性。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是根據本發明使用二輸入比較器來實現在測試模式和正常工作模式間的切換的示意圖；

圖2是根據本發明在存儲器尋址范圍外引入存放狀態標志值的附加地址后的存儲區域的示例性示意圖；

圖3是根據本發明使用比較器來實現避免用戶誤讀出附加地址中的狀態標志值的示例性示意圖。

具體實施方式

將芯片內置的非揮發性存儲器尋址范圍內的初始地址值設為表征測試模式的值，將其他值設為表征正常工作模式的值；但是如果在測試模式下需要訪問所述存儲器尋址范圍內的其他地址值，則將這些測試模式下需要訪問的地址值也設為表征測試模式的值，而將剩下的值設為表征正常工作模式的值。

在所述芯片內置的非揮發性存儲器的尋址范圍之外引入一個額外的附加地址，用于存放狀態標志值；之所以要將存儲器尋址范圍之外附加地址作為所述狀態標志值的地址，是因為這樣可保證不對用戶的正常使用造成影響。因此可確保芯片在完成通信協議的同時，在不影響正常協議的前提下，對該附加地址中的狀態標志值進行訪問，而不需增加額外的時間和增加額外的讀周期從而造成通信協議的不兼容。通過一定的邏輯，使得當芯片工作在測試模式下時才可以對該地址進行訪問和修改，而當其工作在正常工作模式時不可對該地址進行訪問和修改，從而可避免當芯片處于正常工作模式時有誤進入測試模式的可能性，因此確保了數據的安全性。但是為了避免該狀態標志值給用戶帶來混亂，將所述狀態標志值從該附加地址讀出是由所述芯片在其電路內部讀出后自己進行判斷的，而并不輸出到該芯片的外部，而一旦用戶誤將所述附加地址中的數據讀出時，則通過反向器將所讀出的數據轉變為0輸出。