[發明專利]內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法

有效

• 申請號: 200610147328.1
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101202115A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 秦碩詣
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將芯片內置的非揮發性存儲器尋址范圍內的初始地址值設為表征測試模式的值，將其他值設為表征正常工作模式的值；

(2)在所述非揮發性存儲器的尋址范圍外引入一個額外的附加地址，用于存放狀態標志值；

(3)使用一個二輸入比較器來實現測試模式和正常工作模式間的切換；所述比較器的一端固定輸入的預定義數據為所述非揮發性存儲器尋址范圍的初始值，另一端輸入由所述附加地址所指向的所述狀態標志值；當所述狀態標志值為所述非揮發性存儲器尋址范圍的初始值時，所述比較器將輸出使所述芯片工作在測試模式下的信號；而當所述狀態標志值為其他值時，所述比較器將輸出使所述芯片工作在正常工作模式下的信號。

2.根據權利要求1所述的內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，所述狀態標志值在默認情況下為所述存儲器尋址范圍的初始值。

3.根據權利要求1所述的內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，預先設定一個專門的轉換狀態值，該轉換狀態值應由多個1和多個0組成。

4.根據權利要求1所述的內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，在步驟(1)中，如果在測試模式下需要訪問所述存儲器尋址范圍內的其他地址值，則將這些測試模式下需要訪問的地址值也設為表征測試模式的值，而將剩下的值設為表征正常工作模式的值。

5.根據權利要求1所述的內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，所述狀態標志值從該附加地址讀出是由所述芯片在其電路內部讀出后自己進行判斷的，而并不輸出到該芯片的外部，而一旦用戶誤將所述附加地址中的數據讀出時，則通過反向器將所讀出的數據轉變為0輸出。

6.根據權利要求1所述的內置非揮發性存儲器芯片的測試模式實現方法，其特征在于，當所述非揮發性存儲器芯片處于測試模式時能夠對所述狀態標志值進行訪問和修改，而當所述非揮發性存儲器芯片處于正常工作模式時則不能夠對所述狀態標志值進行訪問和修改。