[發(fā)明專(zhuān)利]無(wú)等離子損傷的不著陸介層窗制程

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610145657.2
• 申請(qǐng)日: 2006-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101090090A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 駱統(tǒng);楊令武;陳光釗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

一基底；

一圖案化的金屬配線(xiàn)層，提供于該基底上；

一第一氧化層，其厚度大于圖案化的金屬配線(xiàn)層的高度，位于該圖案化金屬配線(xiàn)層上和周?chē)?/p>

其中該第一氧化層包含氧和硅，其中硅原子對(duì)氧原子的比率超過(guò)1；以及

一第二氧化層，形成于該第一氧化層上。

2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該圖案化金屬配線(xiàn)層包含銅、鋁和金其中至少一種，該金屬配線(xiàn)層還包括一阻擋金屬層，該阻擋金屬層包含鈦和氮化鈦其中至少一種。

3、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層為高密度等離子層。

4、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層為金屬間介電層。

5、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層具有1.3到2.2的消光系數(shù)。

6、一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

一基底；

一圖案化的金屬配線(xiàn)層，提供于該基底上；

一第一氧化層，具有平坦的表面，其位于該圖案化金屬配線(xiàn)層上和周?chē)?/p>

其中該第一氧化層包含氧和硅，其中硅原子對(duì)氧原子的比率超過(guò)1；

一第二氧化層，形成于該第一氧化層上；

該第一氧化層和第二氧化層共同具有一個(gè)厚度；以及

一不著陸介層窗，其深度延伸到該第一氧化層和該第二氧化層中，該深度小于該厚度。

7、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該圖案化金屬配線(xiàn)層包含銅、鋁和金其中至少一種，該金屬配線(xiàn)層還包括一阻擋金屬層，該阻擋金屬層包含鈦和氮化鈦其中至少一種。

8、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層為高密度等離子層。

9、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層為金屬間介電層。

10、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一氧化層具有1.3到2.2的消光系數(shù)。

11、如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該圖案化金屬配線(xiàn)層周?chē)脑摰谝谎趸瘜又兄辽倬哂幸豢障督殡妳^(qū)域，其尺寸由該第一氧化層的填充特征來(lái)決定。

12、一種制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在該基底上形成一圖案化的金屬配線(xiàn)層；

在該圖案化金屬配線(xiàn)層上和周?chē)纬梢坏谝谎趸瘜樱?/p>

其中形成該第一氧化層包含結(jié)合氧和硅，其中硅原子對(duì)氧原子的比率超過(guò)1；

對(duì)該第一氧化層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨；以及

形成一第二氧化層。

13、如權(quán)利要求12所述的制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，其中形成該圖案化金屬配線(xiàn)層包含沉積銅、鋁和金其中至少一種，并沉積一阻擋金屬層，該阻擋金屬層包含鈦和氮化鈦其中至少一種。

14、如權(quán)利要求12所述的制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，其中形成該第一氧化層包含高密度等離子沉積。

15、如權(quán)利要求12所述的制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，其中形成該第一氧化層提供1.3到2.2的消光系數(shù)。

16、一種制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在該基底上形成一圖案化的金屬配線(xiàn)層；

在該圖案化金屬配線(xiàn)層上和周?chē)纬梢坏谝谎趸瘜樱?/p>

其中形成該第一氧化層包含結(jié)合氧和硅，硅原子對(duì)氧原子的比率超過(guò)1；

對(duì)該第一氧化層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨；

形成一第二氧化層，其中該第一氧化層和第二氧化層共同具有一個(gè)厚度；以及

形成一不著陸介層窗，其深度延伸到該第一氧化層和該第二氧化層中，該深度小于該厚度。

17、如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，其中形成該圖案化金屬配線(xiàn)層包含沉積銅、鋁和金其中至少一種，并沉積一阻擋金屬層，該阻擋金屬層包含鈦和氮化鈦其中至少一種。