[發明專利]顯示器件的像素電極結構

有效

• 申請號: 200610145260.3
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN101097307A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 宋武炯;沈桓秀
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1341
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

本申請要求2006年6月30日遞交的韓國專利申請No.2006-060207的優先權，并在此引用其全文作為參考。

技術領域

本發明涉及顯示器件的像素電極結構。更具體地說，本發明是涉及用于提高圖像顯示質量的像素電極結構。

背景技術

近年來，隨著用于處理大量數據的信息處理設備的發展，用于將經信息處理設備處理的數據顯示成圖像的顯示器件得到了極大的發展。目前，作為顯示器件使用的主要是諸如以LCD(液晶顯示)器件，等離子體顯示板(PDP)和有機發光器件(OLED)為代表的平板顯示器件。

作為LCD器件的一種，扭曲向列(TN)模式具有諸如響應速度快和驅動電壓低的優點。然而，TN模式LCD器件具有因液晶的折射率各向異性引起的視角不夠好的缺點，這是因為液晶分子沿著垂直施加給它們的電場取向。

為了克服TN模式LCD器件的缺點，近年來已經研究出共平面開關(IPS)模式LCD器件。

在IPS模式LCD器件中，由于將平行于基板的電場水平施加給液晶，與TN模式LCD器件相比，具有能夠獲得優異視角特性的優點。

為了形成平行于基板的水平電場，IPS模式LCD器件采用梳形像素電極。

圖1為根據現有技術應用于IPS模式LCD器件的像素電極結構。

參照圖1，在基板1上形成公共電極3。公共電極3為透明導電層。

盡管圖中未示出，但是在公共電極3上設置有覆蓋公共電極3的絕緣層，并且在絕緣層上設置像素電極5。在絕緣層的與公共電極3相應的位置上設置多個像素電極5，使它們彼此平行地排列。設置在絕緣層上的像素電極5例如可由透明導電材料形成。

在現有技術IPS模式LCD中，一對相鄰像素電極5分別具有相同寬度W。將具有相同寬度W的相鄰一對像素電極5設置在絕緣層上，使它們分隔相同間距L。

具有相同寬度W和間距L的像素電極5，普遍應用于IPS模式LCD器件和邊緣場切換(FFS)模式LCD器件。

通常，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中，圖像的顯示質量由像素電極5的間距L和寬度W決定。

如圖1中的實線所示，如果在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中，相鄰像素電極5同樣地分隔間距L，并且基本上具有相同寬度W，可提高圖像的顯示質量。

相反，如果如圖1中的虛線所示，在IPS模式LCD器件和FFS模式LCD器件中相鄰像素電極5之間的間距L和寬度W不均勻，那么圖像的顯示質量會嚴重下降。

發明內容

因而，本發明涉及顯示器件的像素電極結構，其基本上可消除由于現有技術的限制和缺陷而產生的一個或多個問題。

本發明的目的在于提供能夠防止圖像顯示質量下降的顯示器件的像素電極結構。

本發明的其它優點、目的和特征一部分將在隨后的描述中給出，一部分是本領域普通技術人員根據后面的說明顯然可以想到或者可由本發明的實踐而獲悉的。通過文字描述和權利要求以及附圖中具體指出的結構，可實現和獲得本發明的目的和其它優點。

為了實現這些目的和其它優點，根據本發明的目的，正如這里具體和廣義描述的，本發明提供一種顯示器件的像素電極結構，其設置在被施加電場以顯示圖像的第一和第二像素區域中，該像素電極結構包括：平行于第一像素區域設置的第一子像素電極，其中從第一與第二像素區域之間的邊界開始，第一子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距；和平行于第二像素區域設置的第二子像素電極，其中從第一與第二像素區域之間的邊界開始，第二子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距。

應當理解，本發明前面的概括描述和后面的詳細描述是示例性和解釋性的，意在提供對如所要求保護的發明的進一步解釋。

附圖說明

用于提供對本發明進一步理解且包含在本申請中并構成本申請一部分的附圖用來說明本發明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中：

圖1為根據現有技術應用于共平面開關(IPS)模式LCD器件的像素電極結構的平面圖；

圖2為根據本發明一個實施例的顯示器件的像素電極結構的平面圖；

圖3為沿圖2中線I-I’作出的剖面圖；和

圖4為根據本發明另一實施例的顯示器件的像素電極結構的平面圖。

具體實施方式

現在將詳細描述本發明的優選實施例，在附圖中表示出其示例。如果可能，在附圖中盡量使用相同附圖標記表示相同或相似部件。

圖2為根據本發明一個實施例的顯示器件的像素電極結構的平面圖。圖3為沿圖2中線I-I’作出的剖面圖。