[發(fā)明專利]顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610145260.3
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN101097307A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋武炯;沈桓秀
• 申請（專利權(quán)）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1341
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

1.一種設(shè)置在IPS模式或FFS模式LCD器件的像素區(qū)域中的像素電極結(jié)構(gòu)，其中所述像素區(qū)域被施加電場用以顯示圖像，所述像素電極結(jié)構(gòu)包括：

在像素區(qū)域中平行設(shè)置的多個子像素電極，

其特征在于，從像素區(qū)域的一側(cè)到另一側(cè)，所述子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，在平面視圖中所述子像素電極具有彎曲形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極具有處于3μm到13μm范圍內(nèi)的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰子像素電極之間的間距為3μm到13μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極包括從氧化銦錫，氧化銦鋅和非晶氧化銦錫組成的組中選擇出的一種材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極包括從鋁和鋁合金組成的組中選擇出的一種材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述寬度和間距是依次改變的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素電極具有V形或W形。

9.一種設(shè)置在IPS模式或FFS模式LCD器件的第一和第二像素區(qū)域中的像素電極結(jié)構(gòu)，其中所述像素區(qū)域被施加電場用以顯示圖像，所述像素電極結(jié)構(gòu)包括：

在第一像素區(qū)域中平行設(shè)置的第一子像素電極，其中，從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，所述第一子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距；以及

在第二像素區(qū)域中平行設(shè)置的第二子像素電極，其中，從第一與第二像素區(qū)域之間的邊界開始，所述第二子像素電極具有逐漸增大的寬度和間距。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，在平面視圖中所述第一和第二子像素電極具有彎曲形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二子像素電極彎曲成鈍角。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素電極的彎曲部分與第二子像素電極的彎曲部分關(guān)于第一與第二像素區(qū)域之間的邊界是相對的。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二子形素電極的寬度為3μm到13μm。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰第一子像素電極之間的間距和相鄰第二子像素電極之間的間距為3μm到13μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二子像素電極包括從氧化銦錫，氧化銦鋅和非晶氧化銦錫組成的組中選擇出的一種材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一和第二子像素電極包括從鋁和鋁合金組成的組中選擇出的一種材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一子像素電極與第二子像素電極相對于第一和第二像素區(qū)域之間的邊界是對稱的.