[發(fā)明專利]缺陷存儲(chǔ)單元的篩選方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610143372.5
• 申請日: 2006-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN101174472A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明昭;羅棋;李家慶
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/00
• 分類號(hào): G11C29/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 郭蔚

1.一種缺陷存儲(chǔ)單元的篩選方法，用于一內(nèi)存上，該內(nèi)存具有N個(gè)存儲(chǔ)單元(cells)，N為大于1的正整數(shù)，該N個(gè)存儲(chǔ)單元系為一第1～N個(gè)存儲(chǔ)單元，該方法包括：

驗(yàn)證該第i個(gè)存儲(chǔ)單元是否抹除成功，i為小于或等于N的正整數(shù)；

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元抹除成功時(shí)，檢查該第i個(gè)存儲(chǔ)單元是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元；

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元抹除失敗時(shí)，抹除該N個(gè)存儲(chǔ)單元一次，并檢查該第i個(gè)存儲(chǔ)單元是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元；以及

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元不是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元，驗(yàn)證該第i+1個(gè)存儲(chǔ)單元是否抹除成功。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，各該存儲(chǔ)單元具有一控制柵極、一源極及-漏極，該驗(yàn)證該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的步驟更包括：

施加一第一電壓于該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的該控制柵極；

施加一第二電壓于該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的該漏極，該第一電壓異于該第二電壓；以及

量測該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流是否大于一抹除驗(yàn)證電流值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流大于該抹除驗(yàn)證電流值，決定該第i個(gè)存儲(chǔ)單元通過抹除驗(yàn)證；以及

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流小于或等于該抹除驗(yàn)證電流值，決定該第i個(gè)存儲(chǔ)單元未通過抹除驗(yàn)證。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該第一電壓及該第二電壓分別為4伏特(V)及1伏特(V)，該抹除驗(yàn)證電流值為20微安培(μA)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

若該第i個(gè)存儲(chǔ)單元是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元，驗(yàn)證該第j個(gè)存儲(chǔ)單元是否抹除成功，j為小于或等于N的正整數(shù)；

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元抹除成功時(shí)，檢查該第j個(gè)存儲(chǔ)單元是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元；

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元抹除失敗時(shí)，篩選該第j個(gè)存儲(chǔ)單元為一缺陷存儲(chǔ)單元，并檢查該第j個(gè)存儲(chǔ)單元是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元；

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元不是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元，驗(yàn)證該第j+1個(gè)存儲(chǔ)單元是否抹除成功；以及

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元，結(jié)束該方法。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，各該存儲(chǔ)單元具有一控制柵極、一源極及一漏極，該驗(yàn)證該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的步驟更包括：

施加一第一電壓于該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的該控制柵極；

施加一第二電壓于該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的該漏極，該第一電壓異于該第二電壓；以及

量測該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流是否大于一抹除驗(yàn)證電流值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流大于該抹除驗(yàn)證電流值，決定該第j個(gè)存儲(chǔ)單元通過抹除驗(yàn)證；以及

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的該源極及該漏極之間的電流小于或等于該抹除驗(yàn)證電流值，決定該第j個(gè)存儲(chǔ)單元未通過抹除驗(yàn)證。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該第一電壓及該第二電壓分別為4伏特及1伏特，該抹除驗(yàn)證電流值為20微安培。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該檢查第j個(gè)存儲(chǔ)單元的步驟更包括：

檢查該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的地址是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元的地址。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的地址為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元的地址，決定該第j個(gè)存儲(chǔ)單元為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元；以及

若該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的地址不是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元的地址，決定該第j個(gè)存儲(chǔ)單元不是該第N個(gè)存儲(chǔ)單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該篩選該第j個(gè)存儲(chǔ)單元為該缺陷存儲(chǔ)單元的步驟更包括：

記錄該第j個(gè)存儲(chǔ)單元的地址。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該檢查第i個(gè)存儲(chǔ)單元的步驟更包括：

檢查該第i個(gè)存儲(chǔ)單元的地址是否為該第N個(gè)存儲(chǔ)單元的地址。