[發明專利]陶瓷薄板的制造方法

無效

• 申請號: 200610142342.2
• 申請日: 2006-10-10
• 公開（公告）號: CN101161606A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 魏志宏;謝俞枰
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: C04B35/64
• 分類號: C04B35/64;B32B18/00;B28B3/00;H05K1/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本發明涉及一種陶瓷薄板的制造方法，特別是涉及一種平坦且無翹曲的陶瓷薄板的制造方法。

背景技術

近年來隨著可攜式信息電子產品與移動通訊產品朝著輕薄短小、多功能、高可靠性與低價化的發展，高元件密度成為電子產品的發展趨勢，是以線路中所使用的有源元件及無源元件也多朝向積體化、芯片化及模塊化的方向發展，以達到有效縮小線路體積，進而降低成本并提高產品的競爭力。

低溫共燒陶瓷(Low?Temperature?Co-fired?Ceramics，LTCC)技術的開發，使電子產品的體積利用率提高得以實現，其主要將電子元件包括無源元件及有源元件與線路整合在一多層結構中來達到集成化。如圖1所示，一種現有應用于高頻無線通訊元件的低溫共燒陶瓷基板1，由多個陶瓷薄板11迭壓而形成的一多層結構，各層或層與層之間具有導電層111及電子元件112例如電阻、電容或電感等，導電層111藉由通孔(via)113而可連接其它層導電層111及電子元件112，其中導電層111或電子元件112可利用例如厚膜印刷技術而形成于陶瓷薄板11的表面，再經過多層加壓成形后在低于1000℃的溫度燒結而成。

然而，由于燒結制造工藝可能因不同層間陶瓷薄板11的收縮量不同，或燒結時因溶劑或黏結劑揮發而產生孔洞，往往導致陶瓷薄板11發生收縮、扭曲、翹曲等形變問題，此現象在制造較薄的陶瓷薄板更甚顯著，影響低溫共燒陶瓷基板1的成品率與可靠性。為解決上述問題，現有技術利用加壓成形時機械力限制陶瓷薄板11的收縮方向并抑制翹曲，但此方法僅適于批次生產，并不適用于隧道窯的量產制造工藝。

因此，如何提供一種制造平坦與無翹曲，且具有良好的致密度、介電特性及質量特性的陶瓷薄板的制造方法，實為重要的課題之一。

發明內容

有鑒于上述課題，本發明的目的為提供一種制造平坦與無翹曲，且具有良好的致密度、介電特性及質量特性的陶瓷薄板的制造方法。

為達到上述目的，本發明提供一種陶瓷薄板的制造方法包括下列步驟：提供至少一第一生胚片及至少二第二生胚片，第二生胚片的燒結溫度高于第一生胚片的燒結溫度；堆棧第一生胚片與該些第二生胚片，使第一生胚片夾置于該些第二生胚片之間；以及以第一生胚片的燒結溫度進行燒結，使第一生胚片燒結成為陶瓷薄板。

為達到上述目的，本發明更提供另一種陶瓷薄板的制造方法包括下列步驟：提供一第一生胚片、一第二生胚片及一第三生胚片，第二生胚片及第三生胚片的燒結溫度高于第一生胚片的燒結溫度；堆棧該些生胚片，使第一生胚片夾置于第二生胚片及第三生胚片之間；以及以第一生胚片的燒結溫度進行燒結，使第一生胚片燒結成為陶瓷薄板。

承上所述，因依據本發明的陶瓷薄板的制造方法，其藉由二較高燒結溫度的生胚片(第二生胚片或第三生胚片)夾置一較低燒結溫度的生胚片(第一生胚片)，且以較低燒結溫度進行燒結，使較低燒結溫度的生胚片(第一生胚片)進而燒結成為陶瓷薄板，而較高燒結溫度的生胚片(第二生胚片或第三生胚片)則未燒結。第二生胚片及/或第三生胚片于燒結過程僅作為提供加壓作用于第一生胚片的相對兩表面，可抑制第一生胚片產生翹曲的現象而影響平坦度，達到良好致密度、介電特性及質量特性。

附圖說明

圖1為一種現有的低溫共燒陶瓷基板的示意圖。

圖2為依據本發明優選實施例的一種陶瓷薄板的制造方法的流程圖。

圖3與圖4為依據本發明優選實施例的第一生胚片與第二生胚片配置的示意圖。

圖5為依據本發明優選實施例的另一種陶瓷薄板的制造方法的流程圖。

附圖符號說明

1低溫共燒陶瓷基板

11陶瓷薄板

111導電層

112電子元件

113通孔

31第一生胚片

32第二生胚片

S1～S3、S21、S31、S32流程步驟

S1’～S3′、S21′、S31′、S32′流程步驟

具體實施方式

以下將參照相關圖式，說明依據本發明優選實施例的一種陶瓷薄板的制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。