[發(fā)明專利]負電壓檢測器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610140412.0
• 申請日: 2006-09-30
• 公開（公告）號: CN101153880A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃照興;許智旗;葉俊良
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣類比科技股份有限公司
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 孟銳;林建成

1.一種負電壓檢測器，其特征在于包含：

一第一n型通道晶體管，其柵極耦接于漏極；

一第二n型通道晶體管，其柵極耦接于所述第一n型通道晶體管的柵極；

一第一電流源，耦接于所述第一n型通道晶體管的漏極；

一第二電流源，耦接于所述第二n型通道晶體管的漏極：

一輸出端，耦接于所述第二n型通道晶體管的漏極；以及

一輸入端，耦接于所述第一n型通道晶體管的源極，其控制所述第二n型通道晶體管的開關(guān)而改變所述輸出端的輸出電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一電流源的輸出電流大于所述第二電流源的輸出電流。

3.如權(quán)利要求2所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一n型通道晶體管匹配于所述第二n型通道晶體管。

4.如權(quán)利要求2所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一電流源包含一第一p型通道晶體管，所述第二電流源包含一第二p型通道晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管與所述第二p型通道晶體管形成一電流鏡。

6.如權(quán)利要求4所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管的寬長比大于所述第二p型通道晶體管的寬長比。

7.如權(quán)利要求4所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管與所述第二p型通道晶體管的源極耦接于一電壓源。

8.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一電流源的輸出電流等于所述第二電流源的輸出電流。

9.如權(quán)利要求8所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一n型通道晶體管的寬長比小于所述第二n型通道晶體管的寬長比。

10.如權(quán)利要求8所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一電流源包含一第一p型通道晶體管，所述第二電流源包含一第二p型通道晶體管。

11.如權(quán)利要求10所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管與所述第二p型通道晶體管形成一電流鏡。

12.如權(quán)利要求10所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管匹配于所述第二p型通道晶體管。

13.如權(quán)利要求10所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一p型通道晶體管與所述第二p型通道晶體管的源極耦接于一電壓源。

14.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于另外包含兩個串聯(lián)的反相器，耦接于所述輸出端。

15.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第二n型通道晶體管的源極接地。

16.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一n型通道晶體管與所述第二n型通道晶體管為高壓NMOS晶體管。

17.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于另外包含一負電壓隔離元件，設(shè)置于第一電流源與所述第一n型通道晶體管之間。

18.如權(quán)利要求17所述的負電壓檢測器，其特征在于所述負電壓隔離元件包含一p型通道晶體管，其源極耦接于所述第一電流源，且其漏極耦接于所述第一n型通道晶體管的漏極。

19.如權(quán)利要求17所述的負電壓檢測器，其特征在于所述p型通道晶體管為高壓PMOS晶體管。

20.如權(quán)利要求1所述的負電壓檢測器，其特征在于所述第一n型通道晶體管與所述第二n型通道晶體管形成一源隨器。