[發明專利]負電壓檢測器

無效

• 申請號: 200610140412.0
• 申請日: 2006-09-30
• 公開（公告）號: CN101153880A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 黃照興;許智旗;葉俊良
• 申請（專利權）人: 臺灣類比科技股份有限公司
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孟銳;林建成

技術領域

本發明涉及一種負電壓檢測器，尤其涉及一種采用源隨器(source?follower)結構的負電壓檢測器。

背景技術

圖1及圖2例示一常規的負電壓檢測器10及其輸入/輸出電壓變化圖。所述負電壓檢測器10包含一比較器12及一分壓電路14。所述分壓電路14包含兩個電阻(R₁、R₂)，其輸出電壓(V_S)與所述待測電壓(V_N)的關系為V_S＝(V₁-V_N)·R₂/(R₁+R₂)。所述比較器12的輸出端耦接于兩個串聯的反相器16、18，正輸入端耦接于一參考電壓(V_REF)，而負輸入端則耦接于所述分壓電路14的輸出端。

當所述參考電壓(V_REF)低于所述分壓電路14的輸出電壓(V_S)時，所述比較器12的輸出電壓為低電平。隨著所述待測電壓(V_N)變成更負電壓至一預定負電壓(V_X)，所述分壓電路14的輸出電壓(V_S)將小于所述參考電壓(V_REF)，導致所述比較器12的輸出電壓由低電平變成高電平。簡要而言，所述負電壓檢測器10是通過所述比較器12檢測小于所述參考電壓(V_REF)的輸出電壓(V_S)，而所述輸出電壓(V_S)則取決于所述分壓電路14的V₁、R₁及R₂。因此，通過改變所述分壓電路14的V₁、R₁及R₂，即可檢測不同數值的預定負電壓(V_X)。然而，實現所述負電壓檢測器10的比較器12需要使用相當多的電子元件(例如晶體管)，即需要使用相當大的晶片而積，相當耗費成本。

圖3及圖4例示另一種常規的負電壓檢測器200及其輸入/輸出電壓變化圖，其揭示于美國專利US?6,549,016?B1。所述負電壓檢測器200包含兩個p型通道晶體管201、202以及一反相器203。所述p型通道晶體管201的漏極連接于所述p型通道晶體管202的源極，所述反相器203的輸入端耦接于所述p型通道晶體管201、202的接點N1，而所述待測電壓(V_NN)則耦接于所述p型通道晶體管202的柵極。

所述p型通道晶體管201的源極耦接于一正電壓(V_CC)，且其柵極接地，因而所述p型通道晶體管201始終處于導通狀態。當所述待測電壓(V_NN)高于所述p型通道晶體管202的閾值電壓(V_th)時，所述p型通道晶體管202處于關閉狀態，所述接點N1的電壓(V_DIV)為高電平，而所述反相器203的輸出電壓為低電平。隨著所述待測電壓(V_NN)變成更負電壓而低于所述p型通道晶體管202的閾值電壓時，所述p型通道晶體管202將導通，所述接點N1的電壓(V_DIV)將由高電平漸轉換為低電平。

所述p型通道晶體管202導通之后，其導通電阻隨著所述待測電壓(V_NN)變成更負電壓而變小，因而所述接點N1的電壓(V_DIV)也隨之降低。當所述接點N1的電壓(V_DIV)降低至所述反相器203的觸發電壓(V_TRIP)時，所述反相器203的輸出電壓即由低電平轉換為高電平，如此即可將一負電平的待測電壓(V_NN)轉換成一高電平電壓。特定而言，所述反相器203的輸出電壓取決于所述接點電壓(V_DIV)是否小于所述觸發電壓(V_TRIP)，而所述接點電壓(V_DIV)則進一步取決于所述p型通道晶體管201、202的導通電阻(即其寬度及長度)的比值。因此，適當選取所述p型通道晶體管201、202的導通電阻的比值即可決定觸發所述反相器203的接點電壓(V_DIV)，即檢測所述待測電壓(V_NN)。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種采用源隨器結構并使用電流鏡供應電流的負電壓檢測器。