[發明專利]半導體元件、互補金屬氧化物半導體元件及其形成方法

無效

• 申請號: 200610139919.4
• 申請日: 2006-09-26
• 公開（公告）號: CN101154594A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 洪國信
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/84;H01L29/78;H01L27/092;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體元件的形成方法，包括：

在基底上形成晶體管，其中所述晶體管包括所述基底上的柵極結構、所述柵極結構側壁的間隙壁與所述柵極結構兩側的基底中的源/漏極區；

在所述基底上方形成襯層，順應性地覆蓋住所述晶體管；

移除部分所述襯層，以在所述晶體管的間隙壁上形成襯層間隙壁；以及

在所述基底上方形成應力層，覆蓋所述晶體管與襯層間隙壁。

2.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，其中所述襯層間隙壁的材料包括氮氧化硅、氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。

3.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，其中移除部分所述襯層的方法包括進行蝕刻工藝。

4.如權利要求3所述的半導體元件的形成方法，其中所述蝕刻工藝包括濕法蝕刻、干法蝕刻或使用蒸氣所進行的蝕刻。

5.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，其中所述應力層的材料包括氮化硅或氧化硅。

6.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，還包括對所述應力層進行摻雜步驟或回火步驟，以調整所述應力層的應力值。

7.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，其中所述晶體管為P型晶體管，且所述應力層為壓應力層。

8.如權利要求1所述的半導體元件的形成方法，其中所述晶體管為N型晶體管，且所述應力層為張應力層。

9.一種半導體元件，包括：

基底；

晶體管，配置于所述基底上，其中所述晶體管包括基底上的柵極結構、所述柵極結構側壁的間隙壁與所述柵極結構兩側的基底中的源/漏極區；

襯層間隙壁，配置于所述晶體管的間隙壁上；以及

應力層，配置于所述晶體管與襯層間隙壁上。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中所述襯層間隙壁的材料包括氮氧化硅、氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。

11.如權利要求9所述的半導體元件，其中所述應力層的材料包括氮化硅或氧化硅。

12.如權利要求9所述的半導體元件，其中所述晶體管為P型晶體管，且所述應力層為壓應力層。

13.如權利要求9所述的半導體元件，其中所述晶體管為N型晶體管，且所述應力層為張應力層。

14.一種互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，包括：

提供基底，其具有第一有源區與第二有源區；

在所述基底的第一有源區與第二有源區分別形成第一型晶體管與第二型晶體管，其中所述第一型晶體管包括柵極結構、間隙壁與源/漏極區，所述第二型晶體管也包括柵極結構、間隙壁與源/漏極區；

在所述基底上方形成第一襯層，順應性地覆蓋住所述第一型晶體管與第二型晶體管；

在所述第一襯層上依序形成第一應力層與第二襯層；

移除所述第二有源區的所述第二襯層與第一應力層，至曝露出所述第二有源區的第一襯層的表面；

移除部分所述第一襯層，以在所述第二型晶體管的間隙壁上形成襯層間隙壁；

在所述基底上方形成第二應力層，順應性地覆蓋所述第二襯層、第二型晶體管與襯層間隙壁；以及

移除所述第一有源區的第二應力層。

15.如權利要求14所述的互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，其中所述襯層間隙壁的材料包括氮氧化硅、氧化硅、碳化硅或碳氧化硅。

16.如權利要求14所述的互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，其中移除部分所述第一襯層以形成所述襯層間隙壁的方法包括進行蝕刻工藝。

17.如權利要求16所述的互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，其中所述蝕刻工藝包括濕法蝕刻、干法蝕刻或使用蒸氣進行的蝕刻。

18.如權利要求14所述的互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，其中所述第一應力層以及第二應力層的材料包括氮化硅或氧化硅。

19.如權利要求14所述的互補金屬氧化物半導體元件的形成方法，還包括對所述第一應力層與第二應力層中的至少一個進行摻雜步驟或回火步驟，以調整其應力值。