[發明專利]半導體裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 200610138069.6
• 申請日: 2006-11-07
• 公開（公告）號: CN101079443A
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 柯志欣;葛崇祜;陳宏瑋;李文欽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包含：

一基底；

一柵極，位于該基底的上方；

一非硅化區域，鄰接于該柵極，且設置于該基底上；

一源/漏極區域，包含一凹槽，且該源/漏極區域位于基底之中；以及

一硅化區域，于該源/漏極區域上，其中該硅化區域具有一頂部表面，其包含一下部位，及介于該下部位與該非硅化區域之間的一上部位，該下部位的一頂部表面低于該上部位的一頂部表面一個階梯高度，其中該非硅化區域的寬度與該階梯高度的比例介于0.5～3之間。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該非硅化區域的寬度與該階梯高度的比例范圍介于0.5～2之間。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該階梯高度大于20納米。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，從各自的該非硅化區域的一邊緣至該源/漏極區域的一下部位具有一間隙距離，其中該非硅化區域的該邊緣相鄰于該上部位，且該階梯高度與該間隙距離的比例小于或等于3。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，該非硅化區域的寬度介于10納米～100納米之間。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該源/漏極區域，包含一第一源/漏極延伸區域、較該第一源/漏極延伸區域更遠離該柵極的一第二源/漏極延伸區域，及一第三源/漏極區域，且該第三源/漏極區域位于該第一源/漏極延伸區域與該第二源/漏極延伸區域下方。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，該第一源/漏極延伸區域具有一第一深度，且該第一深度與該階梯高度的比例小于或等于0.8。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，該第二源/漏極延伸區域具有一第二深度，且該第二深度與該階梯高度的比例范圍介于1～2之間。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，該第三源/漏極區域具有一第三深度，且該第三深度與該階梯高度的比例介于1.5～5之間。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，更包含一拉伸應力層，位于該柵極、該非硅化區域及該源/漏極區域上方。

11.一種半導體裝置的制作方法，其特征在于，該半導體裝置的制作方法包括：

提供一基底；

形成一柵極于該基底的上方；

形成一第一間隙壁于該柵極的側壁上；

形成一源/漏極區域于該基底之中，且該源/漏極區域包含一凹槽；以及

形成一硅化區域于該源/漏極區域上，其中該硅化區域的一上部位與一下部位之間具有一階梯高度的高度差，且該上部位及該下部位的一界面與該第一間隙壁的一側壁間隔一間隙距離，其中該第一間隙壁的該側壁相鄰于該上部位，且其中該第一間隙壁的寬度與該階梯高度的高度差的比例介于0.5～3之間。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該源/漏極區域的步驟，包含在形成該第一間隙壁之前，形成一第一源/漏極延伸區域于該基底內。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，更包括形成一第一袋狀區域于該第一源/漏極延伸區域的一底部邊緣下方，其中該第一袋狀區域的導電類型與該第一源/漏極延伸區域的導電類型相反。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，形成該源/漏極區域的步驟，更包括：

形成一第二源/漏極延伸區域，于形成該第一間隙壁的步驟之后；

形成一第二間隙壁于該第一間隙壁的側壁上；

形成一凹槽于該基底之中，該凹槽是對準該第二間隙壁的側壁；

形成一第三源/漏極區域，且該第三源/漏極區域位于該第一源/漏極延伸區域與該第二源/漏極延伸區域下方；以及

移除該第二間隙壁。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，更包含形成與該第一源/漏極延伸區域的導電類型相反的一第二袋狀區域，其中該第二袋狀區域位于該第二源/漏極延伸區域的一底部邊緣下方。

16.根據權利要求11所述的半導體裝置的制作方法，其特征在于，更包括形成一應力層位于該柵極、該源/漏極區域及該第一間隙壁的上方。