[發明專利]自對準堆疊柵極及其制造方法

無效

• 申請號: 200610136602.5
• 申請日: 2006-10-31
• 公開（公告）號: CN101174560A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 張格滎;張骕遠
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/423;H01L29/788;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種自對準堆疊柵極的制造方法，包含下列步驟：

a)提供一襯底；

b)于該襯底上依序形成一第一介電層、一第一導電層以及一屏蔽層；

c)部份蝕刻該屏蔽層、該第一導電層、該第一介電層以及該襯底，以形成一淺溝渠；

d)以一第二介電層填滿該淺溝渠以形成一淺溝渠隔離單元，并移除該屏蔽層；

e)全面形成一第二導電層；

f)部份蝕刻該第二導電層以于該第一導電層上形成一側壁；

g)部份移除該淺溝渠隔離單元以暴露部份的該第二導電層與該第一導電層的側壁；

h)依序沉積一第三介電層與一第三導電層；以及

i)部份蝕刻該第三導電層，即可得該自對準堆疊柵極。

2.如權利要求1所述的制造方法，其中該襯底為一硅襯底。

3.如權利要求1所述的制造方法，其中該襯底進一步具有一源極/漏極有源區。

4.如權利要求1所述的制造方法，其中該第一介電層為一柵極氧化層。

5.如權利要求1所述的制造方法，其中該第一導電層為一浮動柵極單元多晶硅層。

6.如權利要求1所述的制造方法，其中該屏蔽層為一氮化硅層。

7.如權利要求1所述的制造方法，其中該步驟b)進一步包含步驟：

b1)將該襯底熱氧化，以形成該第一介電層；

b2)于該第一介電層上沉積該第一導電層；以及

b3)于該第一導電層上再沉積該屏蔽層。

8.如權利要求1所述的制造方法，其中該步驟c)為一非等向性蝕刻。

9.如權利要求1所述的制造方法，其中該第二介電層為一沉積隔離氧化層。

10.如權利要求1所述的制造方法，其中該步驟d)進一步包含步驟：

d1)全面沉積一第二介電層，以填滿該淺溝渠，并覆蓋該屏蔽層；

d2)平坦化該第二介電層，直至暴露出該屏蔽層的表面；以及

d3)移除該屏蔽層。

11.如權利要求10所述的制造方法，其中該步驟d2)為一化學機械拋光或一蝕刻工藝。

12.如權利要求1所述的制造方法，其中該第二導電層為一浮動柵極單元側壁多晶硅層。

13.如權利要求1所述的制造方法，其中該第三介電層為一氧氮氧層。

14.如權利要求1所述的制造方法，其中該第三導電層為一控制柵極多晶硅層。

15.一種自對準堆疊柵極，包含：

一半導體襯底；

一第一介電層，設于該半導體襯底上；

一第一導電柵極，設于該第一介電層區域上；

一側壁單元，設置于該第一導電柵極上方的兩側，并覆蓋于該第一導電柵極上，以形成一浮動柵極單元；

一淺溝渠隔離單元設置于浮動柵極單元的兩側；

一氧化介電層，覆蓋于淺溝渠隔離單元與該浮動柵極單元的表面，并與該側壁單元與部份第一導電柵極的側壁接觸；以及

一控制柵極，形成于該氧化介電層之上，以形成該自對準堆疊柵極。

16.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該半導體襯底為一硅襯底。

17.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該半導體襯底進一步具有一源極/漏極有源區。

18.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該第一介電層為一柵極氧化層。

19.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該第一導電柵極由一多晶硅構成。

20.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該側壁單元由一多晶硅構成。

21.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該淺溝渠隔離單元由一沉積氧化層構成。

22.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該氧化介電層由一氧氮氧層所構成。

23.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該控制柵極由一多晶硅構成。

24.如權利要求15所述的自對準堆疊柵極，其中該側壁單元包含于該第一導電柵極的投影面積內。