[發明專利]芯片封裝體、芯片結構及其制造方法無效
| 申請號: | 200610131787.0 | 申請日: | 2006-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN101162704A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發明(設計)人: | 林瑞昌;張大鵬 | 申請(專利權)人: | 聯詠科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L21/60;H01L21/28;H01L27/02;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體元件及其制造方法,且特別是涉及一種芯片封裝體、芯片結構及芯片結構的制造方法。
背景技術
隨著封裝技術不斷地演進,芯片-薄膜(Chip?On?Film,COF)接合技術已成為目前主要的封裝技術之一。一般而言,芯片-薄膜接合技術的應用范圍相當的廣泛,如液晶面板(liquid?crystal?panel)與驅動芯片(drive?IC)之間的電連接就是芯片-薄膜接合技術的一種應用。
以液晶面板與驅動芯片的接合工藝為例,此技術是先提供一可撓性基板,其中可撓性基板的一表面具有一線路層,并且線路層具有多條內引腳。之后提供一驅動芯片,其中驅動芯片的一有源表面上具有多個金凸塊。接著將驅動芯片配置于可撓性基板上,以使得金凸塊與相對應的內引腳接合。然后,將一底膠(Underfill)填入驅動芯片與可撓性基板之間。接著,進行一沖切步驟,以將配置有芯片的可撓性基板分割為多個獨立的芯片封裝體。之后,將芯片封裝體與液晶面板接合,以形成一液晶顯示模塊,其中驅動芯片是經由可撓性基板來與液晶面板電連接。
由于藉由芯片-薄膜接合技術進行封裝后的封裝體具有體積小、重量輕的優點,液晶顯示模塊的厚度能夠薄化。另外,由于芯片封裝體本身具有可折彎(flexible)的特性,因此這樣的技術還可以使得芯片封裝體在與液晶面板接合后,能夠輕易地折彎至液晶面板的背面。
但是,值得注意的是在進行底膠的填充前,由于驅動芯片的有源表面容易受到化學物質或是雜質顆粒的污染。因此,在現有技術將一底膠填入驅動芯片與可撓性基板之間后,底膠通常無法緊密地與驅動芯片的有源表面貼合。也就是說,底膠與驅動芯片之間往往會具有多個間隙。如此一來,當液晶顯示模塊運作時,在電場、污染物以及水氣的作用下,部分的金就容易從金凸塊向外生長,并且沿著驅動芯片與可撓性基板之間的間隙延伸。當向外生長的金與其它的凸塊電接觸時,就容易造成金凸塊之間的短路,進而造成液晶顯示模塊的顯示異常。
發明內容
本發明的目的就是在提供一種芯片結構及其工藝,其中芯片結構的凸塊之間具有良好的絕緣性。
本發明的再一目的是提供一種芯片封裝體,其中此芯片封裝體在運作上具有較高的可靠性。
本發明提出一種芯片結構的制造方法,其至少包括下述步驟。提供一晶片。此晶片具有多個集成電路元件,并且每一個集成電路元件具有多個接點。接著于接點上形成凸塊。然后于集成電路元件的表面上并且于兩相鄰的凸塊之間形成至少一間隙物,其中間隙物的材料為介電材料,并且間隙物的最大厚度小于或等于這些凸塊的厚度。之后對晶片進行切割,以形成多個芯片結構。
依照本發明的優選實施例所述的芯片結構的制造方法,在形成凸塊之前,還包括于晶片上形成至少一金屬層。以及在形成凸塊之后并且在形成間隙物之前,對金屬層進行圖案化以形成多個球底金屬層,其中每一個球底金屬層是位于與的相對應的凸塊與接點之間。此外,形成凸塊的方法例如是電鍍。
依照本發明的優選實施例所述的芯片結構的制造方法,其中形成這些間隙物的方法包括先在晶片上以及凸塊上形成一層介電層。之后縮減介電層的厚度,并且使介電層的最大厚度小于或等于這些凸塊的厚度,以暴露出這些凸塊。
本發明提出另一種芯片結構的制造方法,其包括下列步驟。首先提供一晶片。此晶片具有多個集成電路元件,并且每一個集成電路元件具有多個接點。之后于集成電路元件的表面上并且于兩相鄰接點之間形成至少一間隙物,其中間隙物的材料為介電材料。然后于集成電路元件的表面上形成多個凸塊,其中間隙物位于兩相鄰的凸塊之間,并且間隙物的最大厚度小于或等于凸塊的厚度。之后對晶片進行切割,以形成多個芯片結構。
依照本發明的優選實施例所述的芯片結構的制造方法,在形成間隙物之后并且在形成凸塊之前,還包括于晶片上形成至少一金屬層。之后在形成凸塊之后,對金屬層進行圖案化以形成多個球底金屬層,其中每一個球底金屬層是位于與之相對應的凸塊與接點之間。此外,形成凸塊的方法例如是電鍍。
依照本發明的優選實施例所述的芯片結構的制造方法,其中形成間隙物的方法包括下述步驟。先于晶片上形成一層介電層。之后圖案化介電層,以形成間隙物。
本發明提出一種芯片結構,其包括一集成電路元件、多個凸塊以及至少一間隙物。集成電路元件具有多個接點。凸塊是位于接點上。間隙物是位于集成電路元件的表面上并且位于兩相鄰的凸塊之間,其中間隙物的最大厚度小于或等于凸塊的厚度。
依照本發明的優選實施例所述的芯片結構,其中間隙物的材料為介電材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





