[發明專利]封裝蓋板、芯片封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200610131785.1
• 申請日: 2006-10-12
• 公開（公告）號: CN101162711A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 官大雙;白東尼;韓宗立
• 申請（專利權）人: 聯誠光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L27/146;H01L21/50;H01L21/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

技術領域

本發明涉及一種芯片封裝結構及其制造方法，且特別是涉及一種具有封裝蓋板的芯片封裝結構及其制造方法。

背景技術

在半導體產業中，集成電路(integrated?circuits，IC)的生產，主要分為三個階段：晶片(wafer)的制造、集成電路(IC)的制作以及集成電路的封裝(package)等。其中，裸芯片(die)經由晶片制作、電路設計、光掩模(mask)制作以及切割晶片(wafer?saw)等步驟而完成，而每一顆由晶片切割所形成的裸芯片，在經由裸芯片上的接點與外部信號電連接后，可再以封裝膠體(molding?compound)將裸芯片包覆。其封裝的目的在于防止裸芯片受到濕氣、熱量、噪聲的影響，并提供裸芯片與外部電路之間電連接的媒介，如此即完成集成電路的封裝步驟。

而由于傳統集成電路的封裝步驟是在切割晶片以形成多個裸芯片之后，經由打線工藝(wire?bonding?process)或是倒裝芯片工藝(flip?chip?process)使裸芯片上的接點與外部信號電連接，之后才以封裝膠體將裸芯片包覆。因此，裸芯片在未以封裝膠體包覆之前，外界微粒(particles)容易掉附至裸芯片上，而使得現有芯片封裝結構的工藝成品率(yield)降低。而且上述的封裝工藝的成本高。

為了解決上述問題，現有另一種芯片封裝結構如圖1所示。此芯片封裝結構200包括一芯片210、一封裝蓋板220與一間隔物(spacer)230a。其中，芯片210的一主動面212上配置有一影像感測元件214與位于影像感測元件214周圍的多個接墊216。此外，間隔物230a的外圍包覆有一黏著層230b，因此封裝蓋板220是通過間隔物230a的支撐與透過黏著層230b的黏著而配置于主動面212的上方。

此種封裝方式雖然成本低且能改善封裝工藝成品率，但是，由于芯片210與封裝蓋板220之間是通過間隔物230a與黏著層230b支撐與黏著，而間隔物230a與黏著層230b的光穿透率(optic?transmission)較低，因此將使得整體芯片封裝結構200的光穿透率降低。

此外，由于間隔物230的高度限制，在此芯片封裝結構200中，封裝蓋板220與影像感測元件214之間的距離相當靠近。因此，當外界微粒掉落至封裝蓋板220外表面時，微粒將可能被成像出來，而導致影像感測元件214光學質量受到影響。

經由上述可知，現有芯片封裝結構具有工藝成品率低、制造成本高、光穿透率低以及影響光學元件質量等缺點。因此，現有芯片封裝結構實有改進的必要。

發明內容

本發明的目的就是在提供一種封裝蓋板，其可解決現有芯片封裝結構的光穿透率低的缺點。

本發明的再一目的是提供一種芯片封裝結構，其可解決現有芯片封裝結構的工藝成品率低、制造成本高、光穿透率低以及影響光學元件質量等缺點。

本發明的又一目的是提供一種芯片封裝結構的制造方法，其可解決現有芯片封裝結構的工藝成品率低以及制造成本高等缺點。

基于上述目的或其它目的，本發明提出一種封裝蓋板，其用以對一晶片進行封裝，其中晶片包括多個元件區。封裝蓋板包括一基板與一支撐部。支撐部配置于基板上，其中支撐部會于基板上定義出多個容納空間，且每一容納空間會與晶片上的每一元件區對應。

依照本發明的優選實施例所述，上述的支撐部的高度例如介于15至50微米之間。

依照本發明的優選實施例所述，上述的支撐部的頂部例如具有一凹槽。此外，上述的封裝蓋板例如還包括一黏著層，其位于凹槽內。

依照本發明的優選實施例所述，上述的封裝蓋板例如還包括至少一對準標記，配置于基板上。

依照本發明的優選實施例所述，上述的封裝蓋板的材料例如為玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯。

基于上述目的或其它目的，本發明提出一種芯片封裝結構，包括一芯片、一封裝蓋板與一黏著層。其中，芯片具有一主動面，且主動面上配置有一影像感測元件以及位于影像感測元件周圍的多個接墊。此外，封裝蓋板配置于主動面上方，封裝蓋板包括一基板與位于基板上的一支撐部，其中支撐部會于基板上定義出一容納空間，且支撐部與芯片的主動面接觸，以使得主動面上的影像感測元件配置于容納空間內。另外，黏著層配置于支撐部與主動面之間。

依照本發明的優選實施例所述，上述的支撐部的高度例如大于影像感測元件的高度。

依照本發明的優選實施例所述，上述的支撐部的高度例如介于15至50微米之間。