[發明專利]堆棧結構以及以此堆棧結構圖案化的方法

有效

• 申請號: 200610128007.7
• 申請日: 2006-08-31
• 公開（公告）號: CN101136333A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 王明俊;陳薏新;廖俊雄;楊閔杰;王傳凱
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種圖案化的方法，用以在材料層中形成開口圖案，該開口圖案具有預定的開口寬度，包括：

提供基底，該基底上已形成該材料層；

在該材料層上形成底層；

在該底層上形成多硅有機層；

在該多硅有機層上形成光致抗蝕劑層，該光致抗蝕劑層的厚度大于該多硅有機層厚度的2倍，但小于該底層的厚度；

圖案化該光致抗蝕劑層，在該光致抗蝕劑層中形成該開口圖案；

以該光致抗蝕劑層為掩模，蝕刻該多硅有機層，使該開口圖案轉移至該多硅有機層；

以該多硅有機層為掩模，蝕刻該底層，使該開口圖案轉移至該底層，當該開口圖案完全轉移至該底層時，該光致抗蝕劑層已被蝕刻殆盡；以及

以該底層為掩模，蝕刻該材料層，使該開口圖案轉移至該材料層，當該開口圖案完全轉移至該材料層時，該多硅有機層已被蝕刻殆盡。

2.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該材料層與該底層之間還包括硬掩模層，其厚度略大于該多硅有機層的厚度，且在蝕刻該底層之后，蝕刻該材料層之前，還包括以該多硅有機層與該底層為掩模，蝕刻該硬掩模層，使該開口圖案轉移至該硬掩模層，當該開口圖案完全轉移至該硬掩模層時，該多硅有機層已被蝕刻殆盡。

3.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該底層的厚度小于該預定的開口寬度的3倍。

4.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中在該光致抗蝕劑層中形成該開口圖案之后，將該開口圖案轉移至該多硅有機層之前，以及/或是在蝕刻該硬掩模層之后，使該開口圖案轉移至該材料層之前，還包括修整步驟，以改變該開口圖案的寬度。

5.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該材料層包括導體層且該方法還包括：

以該底層為掩模，蝕刻該導體層，使該開口圖案轉移至該導體層；以及

移除該底層。

6.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該材料層與該基底之間還包括導體層且該方法還包括：

去除該底層；以及

以該硬掩模層為掩模，使該開口圖案轉移至該導體層。

7.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該硬掩模層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或氮碳化硅。

8.如權利要求2所述的圖案化的方法，其中該光致抗蝕劑層的厚度為500至2000埃左右；該多硅有機層的厚度為250至500埃左右；該底層的厚度為1000至2500埃左右；該掩模層的厚度為為250至900埃左右。

9.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該底層的厚度小于該預定的開口寬度的3倍。

10.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該含硅有機層是以旋轉涂布方式形成，且其厚度為旋轉涂布所能形成的最小厚度。

11.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該光致抗蝕劑層的厚度為500至2000埃左右；該多硅有機層的厚度為250至500埃左右；該底層的厚度為1000至2500埃左右。

12.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該多硅有機層的材料包括硅含量為5-30wt.％的有機硅聚合物。

13.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該底層包括清漆樹脂。

14.如權利要求13所述的圖案化的方法，其中該底層包括I-線光致抗蝕劑層。

15.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中該光致抗蝕劑層圖案化的方法包括以浸潤式光刻工藝進行曝光，且該光致抗蝕劑層為防水光致抗蝕劑層，或是頂面覆蓋防水層的光致抗蝕劑材料層。

16.如權利要求1所述的圖案化的方法，其中在該光致抗蝕劑層中形成該開口圖案之后，將該開口圖案轉移至該多硅有機層之前，以及/或是在蝕刻該底層之后，使該開口圖案轉移至該材料層之前，還包括修整步驟，以改變該開口圖案的開口寬度。