[發(fā)明專利]超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610119563.8
• 申請(qǐng)日: 2006-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN101202229A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王函;呂煜坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，采用等離子體干法刻蝕法除去大多數(shù)的氧化硅和氮化硅介質(zhì)膜，形成側(cè)墻，其特征在于，包括如下步驟：步驟A，頂層氮化硅的主刻蝕：通過調(diào)整電極的功率、腔體的壓力和反應(yīng)氣體的流量比例，使得各向同性刻蝕的趨勢(shì)增加，從而獲得側(cè)墻的傾斜的頂端肩部形貌；步驟B，氮化硅的過刻蝕：通過調(diào)節(jié)一氟甲烷和氧氣的比例，獲得氮化硅對(duì)氧化硅的高選擇比為16∶1-22∶1。

2.如權(quán)利要求1所述的超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，其特征在于，步驟A中，通過調(diào)整終點(diǎn)檢出的參數(shù)來(lái)增加敏感度，刻蝕一到達(dá)氮化硅/氧化硅界面就跳出到下一步。

3.如權(quán)利要求1所述的超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，其特征在于，步驟A中，所述電極的功率為130-170w；所述腔體的壓力為20-30mT；所述反應(yīng)氣體的流量比例為：四氟甲烷為30-60sccm，三氟甲烷為8-12sccm，氧氣為8-12sccm，氬氣80-100sccm。

4.如權(quán)利要求1所述的超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，其特征在于，步驟B中，所述的氮化硅對(duì)氧化硅的高選擇比為18∶1。

5.如權(quán)利要求1所述的超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，其特征在于，步驟B中，所述的一氟甲烷和氧氣的比例為3∶(2-1)。

6.如權(quán)利要求1所述的超大規(guī)模集成電路邏輯器件中斜肩式側(cè)墻的刻蝕方法，其特征在于，在步驟B中，追加20％-40％的過刻蝕。