[發明專利]一種改善金屬前介質PMD填充特性的集成方法有效

申請號：	200610119408.6	申請日：	2006-12-11
公開（公告）號：	CN101202226A	公開（公告）日：	2008-06-18
發明（設計）人：	陳昊瑜;龔順強;繆炳有	申請（專利權）人：	上海華虹NEC電子有限公司;上海集成電路研發中心有限公司
主分類號：	H01L21/31	分類號：	H01L21/31;H01L21/768
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司	代理人：	丁紀鐵;李雋松
地址：	201206上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種改善金屬介質 pmd 填充特性集成方法
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【權利要求書】：

1.一種改善金屬前介質填充特性的集成方法，所述金屬前介質層由襯墊、BPSG和SiO2或SiON三層介質組成，所述集成方法包括：首先在硅基板上生長一層熱氧化膜；再淀積一層多晶硅并進行刻蝕；淀積氮化硅或氧化硅，刻蝕后形成側墻；形成側墻后淀積SiN作為襯墊，最后淀積BPSG；其特征在于，所述形成側墻的形貌為傾斜的。

2.根據權利要求1所述的改善金屬前介質填充特性的集成方法，其特征在于，改變所述多晶硅的刻蝕條件，使多晶硅底部帶有角度為80度左右的傾斜形貌。

3.根據權利要求1所述的改善金屬前介質填充特性的集成方法，其特征在于，通過側墻刻蝕中增加各項異性刻蝕的比率，使側墻肩膀位置下降形成側墻的形貌傾斜。

4.根據權利要求1、2或3所述的改善金屬前介質填充特性的集成方法，其特征在于，該方法可應用于0.18微米及以下的半導體集成工藝。

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