[發明專利]柵極側墻的制造方法

有效

• 申請號: 200610119167.5
• 申請日: 2006-12-05
• 公開（公告）號: CN101197275A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 杜珊珊;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/66;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種柵極側墻的制造方法，包括：

提供一具有柵極的半導體基底，在所述半導體基底上沿所述柵極表面形成有介質層；

測量所述柵極側壁的介質層的厚度，并計算所述厚度與側墻目標厚度的差值；

根據所述差值和對所述介質層的刻蝕速率計算刻蝕時間T；

對所述介質層進行T時間刻蝕。

2.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：所述介質層為氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一種。

3.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：用光學關鍵尺寸測量方法測量所述柵極側壁的介質層的厚度。

4.如權利要求1所述的側墻的制造方法，其特征在于，該方法進一步包括：對所述介質層進行過刻蝕。

5.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于，該方法進一步包括：

停止對所述介質層刻蝕后，測量所述介質層在柵極側壁的剩余厚度；

計算所述剩余厚度與側墻目標厚度的差值；

根據所述差值調整刻蝕速率，并將調整后的刻蝕速率反饋至對下一晶片上介質層刻蝕時對刻蝕時間的計算步驟。

6.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：對所述介質層進行刻蝕的刻蝕氣體為CF₄、CH₂F₄、C₂F₆、SiF₄、NF₃、CHF₃中的一種或組合。

7.如權利要求6所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：在所述刻蝕氣體中混合使用O₂和N₂作為輔助氣體。

8.如權利要求4所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：所述過刻蝕的刻蝕氣體為C₂H₆、CH₂F₂和O₂的混合氣體。

9.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：測量所述柵極側壁的介質層的厚度的步驟和對所述介質層進行T時間刻蝕的步驟在同一半導體設備中進行。

10.如權利要求1所述的柵極側墻的制造方法，其特征在于：測量所述柵極側壁的介質層的厚度的步驟和對所述介質層進行T時間刻蝕的步驟在不同的半導體設備中進行。

11.一種測量權利要求1所述的刻蝕速率的方法，包括：

在具有柵極的半導體底上形成介質層，并測量所述柵極側壁的介質層的厚度；

對所述介質層進行不同時間的刻蝕并分別測量剩余在柵極側壁的介質層的厚度；

擬合所述厚度和刻蝕時間的關系曲線；

根據所述關系曲線計算厚度對時間的變化率。

12.一種柵極側墻的制造方法，包括：

提供一具有柵極的半導體基底，在所述半導體基底上沿所述柵極表面形成有介質層；

測量所述柵極側壁的介質層的厚度，并計算所述厚度與側墻目標厚度的差值；

根據所述差值和對所述介質層的刻蝕速率計算刻蝕時間T；

對所述介質層進行T時間刻蝕；

停止對所述介質層刻蝕后，測量所述介質層在柵極側壁的剩余厚度；

計算所述剩余厚度與側墻目標厚度之差；

根據所述剩余厚度與側墻目標厚度之差調整刻蝕速率，并將調整后的刻蝕速率反饋至對下一片晶片的介質層刻蝕時對刻蝕時間的計算步驟。