[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的著片多晶硅接觸結(jié)構(gòu)及柵極結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610119126.6
• 申請(qǐng)日: 2006-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN101192569A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三重野;文健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/28
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王安武

1.一種用于形成集成電路器件的方法，該方法包括：

提供包含表面區(qū)域的半導(dǎo)體襯底；

形成覆蓋在所述表面區(qū)域上方的多晶硅層；

形成覆蓋在所述多晶硅層上方的覆蓋層；

利用原子層沉積形成覆蓋在所述多晶硅層上方的Al₂O₃層，以形成包括所述多晶硅層、覆蓋層和Al₂O₃層的夾層結(jié)構(gòu)；

圖案化所述夾層層，以形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)包括所述多晶硅層的一部分、所述覆蓋層的一部分和所述Al₂O₃層的一部分；

形成覆蓋在所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)上方的具有上表面的層間電介質(zhì)材料；

圖案化所述層間電介質(zhì)材料，以在所述層間電介質(zhì)材料的一部分中形成開口，來暴露出所述柵極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)；

用多晶硅填充材料填充所述開口至所述層間電介質(zhì)材料的所述上表面附近；

進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光過程，以去除所述層間電介質(zhì)層的一部分并同時(shí)去除所述多晶硅填充材料的一部分；

持續(xù)所述化學(xué)機(jī)械拋光過程，直至所述Al₂O₃層中覆蓋在所述柵極結(jié)構(gòu)中的一個(gè)上方的部分已經(jīng)被暴露出來為止；以及

利用所述Al₂O₃層中的若干部分作為拋光停止層，同時(shí)防止所述多晶硅層的任何部分的任何暴露。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述覆蓋層包含氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃層具有范圍在約1納米到約5納米的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃層具有約3納米的厚度。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃層利用三甲基鋁和含臭氧物質(zhì)形成。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃層和多晶硅具有1∶10的選擇性比率。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述化學(xué)機(jī)械拋光過程包括含氟物質(zhì)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃層基本沒有針孔或者其他的缺陷。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)包含三個(gè)柵極。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述化學(xué)機(jī)械拋光過程之后進(jìn)行回蝕過程。