[發(fā)明專利]內(nèi)存測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610117486.2
• 申請日: 2006-10-24
• 公開（公告）號: CN101169975A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王琪
• 申請（專利權(quán)）人: 英華達（上海）科技有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 李勇

1.一種內(nèi)存測試方法，包括下列步驟：

(a)在內(nèi)存的各儲存位置中，填入各儲存位置的地址；

(b)在內(nèi)存的各儲存位置中，填入0或1；

(c)將一預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)，依序填入內(nèi)存的各儲存位置；

(d)將一預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)，以一預(yù)設(shè)模數(shù)為差值逐步增加，依序填入內(nèi)存的各儲存位置；以及

(e)隨著各儲存位置地址的遞增，重復(fù)填入一系列相對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)；

其中，在前述步驟(a)至(e)后，分別讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并且，比較填入各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)與所述讀出的數(shù)據(jù)，以判斷該內(nèi)存是否正常。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，當所述比較結(jié)果發(fā)現(xiàn)錯誤時，停止所述內(nèi)存后續(xù)的測試。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)是由一處理器產(chǎn)生的隨機數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)是一固定的測試數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，還包括將所述預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)取其負數(shù)，依序填入所述內(nèi)存的各儲存位置。

6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，在步驟(a)之前，還包括設(shè)定所述內(nèi)存的參數(shù)，以選定一工作模式或讀寫模式的步驟。

7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，所述參數(shù)包括工作頻率、工作電壓與內(nèi)存讀寫特征參數(shù)。

8.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，還包括以重復(fù)步驟(a)至(e)的方式，以找到該內(nèi)存最容易出錯的工作模式或讀寫模式。

9.一種內(nèi)存測試方法，包括下列步驟：

設(shè)定內(nèi)存的各儲存位置的地址；

在內(nèi)存的各儲存位置中，填入各儲存位置的地址，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與各儲存位置的地址比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，在內(nèi)存的各儲存位置中，填入0或1，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的0或1比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，將一預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)，依序填入內(nèi)存的各儲存區(qū)塊，并且，讀出各儲存區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存區(qū)塊的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，以八位為移動單位，將一預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)，依序填入內(nèi)存的各儲存位置，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，將一預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)，以一預(yù)設(shè)模數(shù)為差值逐步增加，依序填入內(nèi)存的各儲存位置，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，以八位為移動單位，將一隨機的測試數(shù)據(jù)，依序填入該內(nèi)存的各儲存位置，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常；

若是內(nèi)存正常，隨著各儲存位置地址的遞增，重復(fù)填入一系列相對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的該一系列相對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常；以及

若是內(nèi)存正常，隨著各儲存位置地址的遞減，重復(fù)填入一系列相對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)，并且，讀出各儲存位置內(nèi)的數(shù)據(jù)，并與填入各儲存位置的該一系列相對應(yīng)的測試數(shù)據(jù)比較，以判斷內(nèi)存是否正常。

10.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，當所述比較結(jié)果發(fā)現(xiàn)錯誤時，停止該內(nèi)存后續(xù)的測試。

11.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，還包括將所述預(yù)設(shè)的測試數(shù)據(jù)取其負數(shù)，依序填入該內(nèi)存的各儲存位置。

12.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，在設(shè)定該內(nèi)存的各儲存位置的地址之前，還包括設(shè)定該內(nèi)存的參數(shù)，以選定一工作模式或讀寫模式的步驟。

13.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，所述參數(shù)包括工作頻率、工作電壓與內(nèi)存讀寫特征參數(shù)。

14.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)存測試方法，其特征在于，還包括選定不同的工作模式或讀寫模式，并重復(fù)該內(nèi)存的測試步驟，以找到該內(nèi)存最容易出錯的工作模式或讀寫模式。