[發明專利]內存測試方法

有效

• 申請號: 200610117486.2
• 申請日: 2006-10-24
• 公開（公告）號: CN101169975A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 王琪
• 申請（專利權）人: 英華達（上海）科技有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 李勇

技術領域

本發明是關于一種內存的測試方法，尤其是一種組合不同運作模式，來檢測內存的測試方法。

背景技術

可攜式技術的發展使人們越來越依賴移動電話、PDA和導航系統這類可攜式裝置。隨著處理器技術的不斷進步，過去幾年中大容量內存的設計和開發呈指數級成長。其中，設計的關鍵組件不是速度更快的處理器，而是采用閃存取代了硬盤。因此，這些可攜式裝置的可靠性取決于內存的正確設計和測試。

內存測試的主要目標是驗證內存上的每一個儲存位都能夠可靠地儲存數據。因此，內存測試包括驗證實體連接是否正確以及確保內存的每一個記憶位置功能正常。

驗證實體連接(包括內存地址和數據I/O線路)對于確保數據被正確儲存在所期望的位置至關重要。地址線規定每一個作業的儲存位置，而雙向數據線負責將數據輸入和輸出內存。如果有一個實體連接產生故障，其它測試也會出錯。

內存的功能測試由數字測試設備執行的一系列讀寫作業構成。每次執行讀取作業之后，測試系統將讀取的數據與期望值做比較。例如圖1所示，一個四位內存需要四次寫入和讀取作業，以完全驗證數據線并核查其功能是否正常。初始化時，內存各位均設定為‘0’。測試的第一步是把‘1000’寫入預設的地址，然后對此地址進行讀取作業。接下來，以前進1s(marching-1s)的模式逐步寫入數據并讀取數據，即可有效率地測試數據線。如果由內存讀出的數據與所寫入的數據相匹配，那么就顯示數據線功能正確。

前述針對數據線所進行的測試也可適用于地址線。不過，此等測試通常僅能簡單檢測出內存的地址線(address?bus)、數據線(data?bus)與控制線(control?bus)是否可以正常工作，而難以檢測出內存在不同工作模式下所可能產生的異常錯誤。

因此，如何確保內存在不同工作或讀寫模式下，均可以正常運作，將會對可攜式電子產品的可靠性，產生嚴重的影響。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種理想的測試流程，以有效檢測內存在不同工作或讀寫模式下所可能產生的異常錯誤。

本發明提供一種內存測試方法，包括：(a)調整內存的相關參數，以選定一特定的工作模式；(b)在內存的各個儲存位置中，填入各個儲存位置的地址；(c)在內存的各個儲存位置中，填入0或1；(d)將一預設的測試數據，依序填入內存的各個儲存位置；(e)將一預設的測試數據，以一預設模數(module)為差值逐步增加，依序填入內存的各個儲存位置；(f)隨著內存的各個儲存位置地址的遞增，依序填入相對應的測試數據。

在前述各個步驟后，分別讀出各個儲存位置內的數據，并比較填入各個儲存位置內的數據與讀出的數據，以判斷內存是否正常。

基于此，本發明的內存檢測方法是提供一有效率的內存檢測流程，以檢測出內存在不同工作模式下的異常錯誤。同時，也可以避免不必要的檢測步驟的執行，以節省不必要的檢測成本。

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及附圖得到進一步的了解。

附圖說明

圖1是一典型內存測試方法的示意圖；

圖2是本發明的內存測試方法一較佳實施例的流程圖；

圖3是一典型同步動態隨機存取內存的儲存地址配置的示意圖；

圖4是步驟520的測試方式一較佳實施例的示意圖；以及

圖5是本發明內存測試方法另一較佳實施例的流程圖。

具體實施方式

請參照圖2所示，是本發明的內存測試方法一較佳實施例的流程圖。首先，調整內存的相關參數，如工作頻率、工作電壓、讀寫方式(例如SDRAM?CL(CAS?latency)，BL(burst?length)等內存讀寫特征參數)，借以選定一特定工作模式和讀寫模式(步驟100)。隨后，在設定內存的各個儲存位置的地址(步驟110)后，從內存的起始地址至結束地址，在內存的各個儲存位置中，填入各個儲存位置自身的地址(步驟120)。然后，讀出內存的各個儲存位置內的數據，并與填入各個儲存位置內的數據(即各個儲存位置自身的地址)相比較，以判斷內存是否正常運作(步驟130)。若是比較結果發現錯誤，即不需進行后續測試。

若是步驟130的判斷結果認為內存正常運作，則進行下一階段的測試。此階段的測試是從內存的起始地址至結束地址，在內存的各個儲存位置中填入0或1(步驟220)。然后，讀出內存的各個儲存位置內的數據，并與填入各個儲存位置內的數據(0或1)相比較，以判斷內存是否正常運作(步驟230)。若是比較結果發現錯誤，即不需進行后續測試。