[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制作方法無效
| 申請號： | 200610116943.6 | 申請日： | 2006-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN101162733A | 公開（公告）日： | 2008-04-16 |
| 發明（設計）人： | 雷明 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 王素萍 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種MOS場效應晶體管，包含介質層區(2)、場氧化隔離區(3)、主要由源區(4)和漏區(5)組成的有源區、阱區(6)、金屬布線(7)、以及鎢塞(8)，其中場氧化隔離區(3)使有源區之間隔離，場氧化隔離區(3)下端有阱區而向上依次有介質層區和金屬布線，其特征在于，
多晶硅版圖設計時，在所述金屬布線(7)和所述場氧化隔離區(3)之間保留所述多晶硅浮柵層(1)。
2.一種MOS場效應晶體管制作方法，依次包含氧化隔離區形成、阱形成、柵氧化層形成、多晶硅柵層形成、多晶硅柵圖形的形成、源漏形成、鈦或鈷硅化物形成、金屬和硅柵間介質層形成、接觸孔形成、金屬布線形成工序，其特征在于，
所述多晶硅柵版圖形的形成工序中，設計多晶硅柵版圖時，在所述金屬布線層(7)和所述場氧化隔離區(3)之間保留所述多晶硅浮柵層。
3.如權利要求2中所述的MOS場效應晶體管制作方法，其特征在于，采用紫外光照工序。
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