[發(fā)明專利]干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610116928.1 | 申請(qǐng)日： | 2006-10-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101159235A | 公開（公告）日： | 2008-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫炳云;呂明政;卓震宇;光輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/311 | 分類號(hào)： | H01L21/311;H01L21/00;B08B7/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201203上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 潔凈 介電層 開口 蝕刻 反應(yīng) 方法 | ||
1.一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，用于去除位于一介電層開口蝕刻反應(yīng)室壁上的高分子污染物，其特征在于包括有下列步驟：
在該介電層開口蝕刻反應(yīng)室內(nèi)置入一晶片；
在該介電層開口蝕刻反應(yīng)室內(nèi)通入一氧氣潔凈工藝氣體；
由該氧氣潔凈工藝氣體形成一等離子；以及
維持該等離子一段時(shí)間，使該高分子污染物移除。
2.如權(quán)利要求1所述的干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，其特征在于：該晶片為一控片。
3.如權(quán)利要求1所述的干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，其特征在于：該介電層開口蝕刻反應(yīng)室包含有一上、下電極。
4.如權(quán)利要求3所述的干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，其特征在于：該電極的材料為氧化釔。
5.如權(quán)利要求3所述的干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，其特征在于：該等離子的形成是通過施加一無(wú)線電頻能量于該上電極，而使該氧氣潔凈工藝氣體受激發(fā)而形成。
6.如權(quán)利要求1所述的干式潔凈介電層開口蝕刻反應(yīng)室的方法，其特征在于：維持該等離子一段時(shí)間后可進(jìn)行將該氧氣潔凈工藝氣體抽離該介電層開口蝕刻反應(yīng)室，隨后利用一裸晶片進(jìn)行工藝參數(shù)調(diào)整。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
