[發(fā)明專利]干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610116928.1
• 申請日: 2006-10-08
• 公開（公告）號: CN101159235A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 孫炳云;呂明政;卓震宇;光輝
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/00;B08B7/00;C23F4/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

技術領域

本發(fā)明涉及一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法，特別涉及一種利用干式潔凈方法來對介電層開口蝕刻反應室進行腔體內(nèi)污染物去除的方法。

背景技術

半導體工藝包括了一連串不同的化學和物理的工藝，將微小的集成電路制作在半導體基底上。但伴隨半導體工藝依循摩爾定律(Moor’s?law)所預測于次微米進入深次微米后，所有的電子組件的特征尺寸日趨縮小，維持臨界尺寸的均勻性和精確性的能力就受到了限制。因此工藝中任何微小雜質(zhì)如微粒子、有機物和化學污染等累積到一定程度時，將造成成品率(yield)降低，形成一非常不利的因素來源，而且隨著進入深次微米的工藝，雜質(zhì)對整體組件相對影響的程度也日益嚴重，所以對雜質(zhì)的累積程度的監(jiān)控系為各半導體廠在工藝上的重要課題。

當反應進行的是介電層開口蝕刻工藝時，會于反應室內(nèi)部壁上沉積高分子雜質(zhì)，因此為避免雜質(zhì)粒子的數(shù)量超過工藝所能忍受的限度，需于工藝中適當?shù)募尤霛崈艄に嚕瑏磉M行適當?shù)墓に嚪磻业臐崈魟幼鳎员苊夤に囘^程內(nèi)所產(chǎn)生的污染物造成組件的失效，請參閱圖1所示，現(xiàn)有技術中，利用濕式潔凈工藝S1方式來進行產(chǎn)品工藝運作清潔時的步驟，如圖1所示，其步驟包括如步驟S12開啟反應室腔體、如步驟S14利用徒手的方式使用有機溶劑以去除腔體內(nèi)的雜質(zhì)，接著如步驟S16使用一表面上具有一光阻層的晶片以調(diào)整工藝參數(shù)，然后再如步驟S2所示，進行在線工藝產(chǎn)品的制作，待反應室內(nèi)壁累積高分子沉積物至一特定數(shù)量后，再重復如步驟S1，進行一次濕式潔凈工藝步驟，但此種方式必須破壞反應式的密閉真空狀態(tài)，而且人力擦拭反應式內(nèi)部表面，所需的設備停工時間(down-time)較長，且溶劑將對電極產(chǎn)生嚴重的損傷。

因此，本發(fā)明針對上述問題，提出一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應室，以解決上述技術問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于，提供一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法，利用氧氣潔凈工藝氣體產(chǎn)生等離子，對反應室進行干式潔凈工藝，以大幅度降低設備停工時間。

本發(fā)明的另一目的在于，提供一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法，其不會對電極造成損傷。

本發(fā)明的再一目的在于，提供一種干式清潔界層洞蝕刻反應室的方法，其能夠大幅度縮短潔凈工藝所造成的成本浪費。

為達上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種干式清潔介電層開口蝕刻反應室的方法，用以去除位于一介電層開口蝕刻反應室壁上的高分子污染物，該方法包括先于一介電層開口蝕刻反應室置入一晶片；于反應室內(nèi)通入一氧氣潔凈工藝氣體；由該氧氣潔凈工藝氣體形成一等離子；然后維持等離子一段時間，來進行清除反應室壁上所吸附的高分子污染物。

綜上所述，本發(fā)明改善了現(xiàn)有技術濕式潔凈工藝會對下電極產(chǎn)生損傷的問題，且本發(fā)明能夠大幅度的縮短設備停工時間，并進而大幅度提高工藝產(chǎn)品的成品率。

以下結(jié)合附圖及實施例進一步說明本發(fā)明。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術的工藝步驟流程圖。

圖2為本發(fā)明干式潔凈工藝步驟流程圖。

圖3為本發(fā)明應用于在線工藝產(chǎn)品運作時的流程圖。

圖4為現(xiàn)有潔凈工藝在實際在線工藝產(chǎn)品運作時，進行潔凈工藝時間點與反應室內(nèi)壁上高分子污染物沉積數(shù)量間的關系。

圖5為本發(fā)明潔凈工藝在實際在線工藝產(chǎn)品運作時，進行潔凈工藝時間點與反應室內(nèi)壁上的高分子污染物沉積數(shù)量間的關系。

具體實施方式

一種干式潔凈介電層開口蝕刻反應室的方法。工藝反應室為一介電層開口等離子蝕刻反應室，特別是一具有上下電極之介電層開口等離子蝕刻反應室，于介電層開口蝕刻時，以光阻為主形成的高分子聚合物會先行堆積在反應室的內(nèi)表面，當蝕刻持續(xù)進行時，反應室內(nèi)的高分子堆積微粒將不斷累積，在此種情況下，將影響微粒將對產(chǎn)品的成品率造成嚴重的影響。