[發明專利]雙鑲嵌結構的形成方法有效
| 申請號： | 200610116906.5 | 申請日： | 2006-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN101154623A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發明（設計）人： | 范瑾巍;趙永紅;高俊濤;王向東 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鑲嵌 結構 形成 方法 | ||
1.一種雙鑲嵌結構的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供一表面至少具有一導電區域的襯底；
在所述襯底上形成一刻蝕停止層；
在所述襯底上形成一層間介電層；
利用光刻膠對所述層間介電層進行通孔的圖形化處理，并刻蝕形成通孔；
在所述通孔內填充光刻膠犧牲層；
進行加熱處理；
去除所述光刻膠犧牲層；
利用光刻膠對所述層間介電層進行溝槽的圖形化處理，并刻蝕形成溝槽，且所述溝槽下方至少有一個所述通孔；
在所述溝槽和所述通孔中填充導電材料；
對所述導電材料進行研磨處理，形成雙鑲嵌結構。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為含氮的碳硅化合物層。
3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加熱處理的溫度在90至150℃之間。
4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加熱處理的時間在1至10分鐘之間。
5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：填充導電材料前，利用濕法腐蝕方法將所述刻蝕停止層去除。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：去除所述光刻膠犧牲層后，在所述介電層上和所述通孔中覆蓋了一層防反射層。
7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于：所述防反射層是利用旋涂方法形成的膠狀氧化硅基材料。
8.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于：填充導電材料前，利用濕法腐蝕方法將所述通孔內的所述防反射層和所述刻蝕停止層去除。
9.一種雙鑲嵌結構的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供一表面至少具有一導電區域的襯底；
在所述襯底上形成一刻蝕停止層；
在所述襯底上形成一層間介電層；
利用光刻方法對所述層間介電層進行溝槽的圖形化處理，并刻蝕形成溝槽；
在所述溝槽內填充光刻膠犧牲層；
進行加熱處理；
去除所述光刻膠犧牲層；
利用光刻方法在所述層間介電層上進行通孔的圖形化處理，并刻蝕形成通孔，且所述通孔位于所述溝槽底部；
在所述溝槽和所述通孔中填充導電材料；
對所述襯底進行研磨處理，形成雙鑲嵌結構。
10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為含氮的碳硅化合物層。
11.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述加熱處理的溫度在90至150℃之間。
12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述加熱處理的時間在1至10分鐘之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
