[發(fā)明專利]評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)及形成柵極介質(zhì)層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610116856.0
• 申請日: 2006-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN101154608A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉云珍;何永根;郭佳衢
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，包括：

測量柵極介質(zhì)層的膜層物理特性參數(shù)與所述柵極介質(zhì)層形成的器件的電性參數(shù)；

擬合所述物理特性參數(shù)與電性參數(shù)之間的相關(guān)曲線并計(jì)算相關(guān)系數(shù)；

找出與電性參數(shù)相關(guān)系較大的物理特性參數(shù)；

在線測量柵極介質(zhì)層物理特性參數(shù)；

通過與電性參數(shù)相關(guān)系數(shù)較大的物理特性參數(shù)預(yù)估電性參數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述柵極介質(zhì)層可以是氧化硅、氮氧硅化合物、碳氧硅化合物中的一種或其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述物理特性參數(shù)包括厚度、應(yīng)力、折反射率、表面電荷密度、表面電壓、電壓電容特性。

4.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述測量物理特性參數(shù)的方法包括COS測試法，C-V測試法中的一種或其組合。

5.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述電性參數(shù)包括載流子遷移率、漏電流、擊穿電壓。

6.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述對電性參數(shù)測量包括晶片可接受測試、良率測試。

7.如權(quán)利要求1所述的評估柵極介質(zhì)層電性參數(shù)的方法，其特征在于：所述擬合方法為線性擬合。

8.一種應(yīng)用權(quán)利要求1的方法形成柵極介質(zhì)層的方法，包括：

測量柵極介質(zhì)層的膜層物理特性參數(shù)和所述柵極介質(zhì)層形成的器件的電性參數(shù)；

擬合所述物理特性參數(shù)與電性參數(shù)之間的相關(guān)曲線并計(jì)算相關(guān)系數(shù)；

找出與電性參數(shù)相關(guān)系較大的物理特性參數(shù)；

在線測量柵極介質(zhì)層物理特性參數(shù)；

通過與電性參數(shù)相關(guān)系數(shù)較大的物理特性參數(shù)預(yù)估電性參數(shù)；

找出滿足電性參數(shù)要求的物理特性參數(shù)的范圍；

通過調(diào)整工藝參數(shù)形成滿足物理特性參數(shù)范圍要求的柵極介質(zhì)層。

9.如權(quán)利要求8所述的形成柵極介質(zhì)層的方法，其特征在于：通過調(diào)整氧化或沉積的工藝參數(shù)形成滿足物理特性參數(shù)范圍要求的柵極介質(zhì)層。

10.如權(quán)利要求8或9所述的形成柵極介質(zhì)層的方法，其特征在于：所述工藝參數(shù)包括溫度、氣體流量、壓力、射頻源功率、時(shí)間中的一種或組合。