[發明專利]評估柵極介質層電性參數及形成柵極介質層的方法有效
| 申請號： | 200610116856.0 | 申請日： | 2006-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN101154608A | 公開（公告）日： | 2008-04-02 |
| 發明（設計）人： | 劉云珍;何永根;郭佳衢 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 評估 柵極 介質 層電性 參數 形成 方法 | ||
1.一種評估柵極介質層電性參數的方法，包括：
測量柵極介質層的膜層物理特性參數與所述柵極介質層形成的器件的電性參數；
擬合所述物理特性參數與電性參數之間的相關曲線并計算相關系數；
找出與電性參數相關系較大的物理特性參數；
在線測量柵極介質層物理特性參數；
通過與電性參數相關系數較大的物理特性參數預估電性參數。
2.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述柵極介質層可以是氧化硅、氮氧硅化合物、碳氧硅化合物中的一種或其組合。
3.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述物理特性參數包括厚度、應力、折反射率、表面電荷密度、表面電壓、電壓電容特性。
4.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述測量物理特性參數的方法包括COS測試法，C-V測試法中的一種或其組合。
5.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述電性參數包括載流子遷移率、漏電流、擊穿電壓。
6.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述對電性參數測量包括晶片可接受測試、良率測試。
7.如權利要求1所述的評估柵極介質層電性參數的方法，其特征在于：所述擬合方法為線性擬合。
8.一種應用權利要求1的方法形成柵極介質層的方法，包括：
測量柵極介質層的膜層物理特性參數和所述柵極介質層形成的器件的電性參數；
擬合所述物理特性參數與電性參數之間的相關曲線并計算相關系數；
找出與電性參數相關系較大的物理特性參數；
在線測量柵極介質層物理特性參數；
通過與電性參數相關系數較大的物理特性參數預估電性參數；
找出滿足電性參數要求的物理特性參數的范圍；
通過調整工藝參數形成滿足物理特性參數范圍要求的柵極介質層。
9.如權利要求8所述的形成柵極介質層的方法，其特征在于：通過調整氧化或沉積的工藝參數形成滿足物理特性參數范圍要求的柵極介質層。
10.如權利要求8或9所述的形成柵極介質層的方法，其特征在于：所述工藝參數包括溫度、氣體流量、壓力、射頻源功率、時間中的一種或組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610116856.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：無線網絡中終端加入多播廣播業務的方法及其系統
- 下一篇：錄放影機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
