[發(fā)明專利]內(nèi)嵌存儲器芯片測試方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610116561.3 | 申請日: | 2006-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN101154468A | 公開(公告)日: | 2008-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳婷;陳凱華;謝晉春;桑浚之;辛吉升 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/44 | 分類號: | G11C29/44 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 顧繼光 |
| 地址: | 201206上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲器 芯片 測試 方法 | ||
1.一種內(nèi)嵌存儲器芯片測試方法,其特征在于,包括以下步驟:第一步,對內(nèi)嵌存儲器芯片進行初次測試;第二步,判斷初步測試結(jié)果,對初步測試正常并且測試結(jié)果為合格的芯片的內(nèi)嵌存儲器中客戶不使用的區(qū)域?qū)懭氩煌诖鎯ζ髦性袛?shù)值的值,對初步測試不正常或者測試結(jié)果為失效的芯片的內(nèi)嵌存儲器中相應(yīng)位置保持原有的值;第三步,通過測試儀讀取第一步中內(nèi)嵌存儲器芯片相應(yīng)位置的值,若該值為寫入的特定的值則將該芯片剔除出復(fù)測列表,若該值不為寫入的特定的值則對該芯片進行復(fù)測;第四步,對復(fù)測正常并且測試結(jié)果為合格的芯片的內(nèi)嵌存儲器中客戶不使用的區(qū)域?qū)懭氩煌诖鎯ζ髦性袛?shù)值的值,對復(fù)測不正常或者測試結(jié)果為失效的芯片的內(nèi)嵌存儲器中相應(yīng)位置保持原有的值。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌存儲器芯片測試方法,其特征在于,在第四步之后增加以下步驟:重復(fù)第三步和第四步。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌存儲器芯片測試方法,其特征在于,第二步和第四步中,在測試正常并且測試結(jié)果為合格的芯片內(nèi)嵌存儲器中寫入的值為十六進制數(shù)5a5a。
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