[發(fā)明專(zhuān)利]深亞微米動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的信號(hào)放大電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610114067.3
• 申請(qǐng)日: 2006-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101169969A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舒清明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京芯技佳易微電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/4091
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/4091
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 孫皓晨

1.一種深亞微米動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的信號(hào)放大電路，其包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元和靈敏放大電路，所述的存儲(chǔ)單元由兩個(gè)電容和兩個(gè)晶體管組成，單元的數(shù)據(jù)決定于存儲(chǔ)在電容中的電荷，晶體管的開(kāi)關(guān)控制數(shù)據(jù)的存??；所述的存儲(chǔ)單元通過(guò)共同的板極連接在一起，靈敏放大電路與存儲(chǔ)單元中的晶體管的源極相連，將位線(xiàn)電壓的微小改變放大，從而讀出數(shù)據(jù)，其特征在于，所述的靈敏放大電路包括：

一交叉耦合放大電路(205)，其是由PMOS晶體管(P5)、(P6)和NMOS晶體管(N15)、(N16)、(N18)組成，其中所述PMOS晶體管(P5)、(P6)的源極相連，所獲得的結(jié)點(diǎn)與VCC相連，NMOS晶體管(N15)、(N16)的源極相連接，所獲得的結(jié)點(diǎn)與NMOS晶體管(N18)的漏極相連接，所述NMOS晶體管(N18)的柵極連接控制靈敏放大電路工作的信號(hào)(SA)，所述NMOS晶體管(N18)的源極連接地(GND)；

一位線(xiàn)充電電路(212)，其由PMOS晶體管(P4)、(P7)組成，所述的PMOS晶體管(P4)、(P7)的源極相連接，所獲得的結(jié)點(diǎn)與VCC相連，其漏極分別連接位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其柵極分別連接于充電控制信號(hào)(PRC_B)；

一開(kāi)關(guān)電路(213)，其是由NMOS晶體管(N14)、(N17)組成，所述NMOS晶體管(N14)、(N17)的源極分別連接于位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其漏極分別與數(shù)據(jù)線(xiàn)(DA)(DA_B)相連接，其柵極連接數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)(DAEN)。

2.一種深亞微米動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的信號(hào)放大電路，包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元和靈敏放大電路，所述的存儲(chǔ)單元由兩個(gè)電容和兩個(gè)晶體管組成，單元的數(shù)據(jù)決定于存儲(chǔ)在電容中的電荷，晶體管的開(kāi)關(guān)控制數(shù)據(jù)的存??；所述的存儲(chǔ)單元通過(guò)共同的板極連接在一起，靈敏放大電路與存儲(chǔ)單元中的晶體管的源極相連，將位線(xiàn)電壓的微小改變放大，從而讀出數(shù)據(jù)，其特征在于，所述的靈敏放大電路包括：

一交叉耦合放大電路(305)，其是由PMOS晶體管(P9)、(P10)、(P8)和NMOS晶體管(N26)、(N27)、(N29)組成，其中所述PMOS晶體管(P9)、(P10)的源極相連，所獲得的結(jié)點(diǎn)與PMOS晶體管(P8)的漏極相連；

所述PMOS晶體管(P8)的源極與VCC相連，其柵極連接控制靈敏放大電路工作的信號(hào)(SA_B)，NMOS晶體管(N26)、(N27)的源極相連接，所獲得的結(jié)點(diǎn)與NMOS晶體管(N29)的漏極相連接，所述NMOS晶體管(N29)的柵極連接控制靈敏放大電路工作的信號(hào)(SA)，所述NMOS晶體管(N29)的源極連接地(GND)；

一位線(xiàn)充電電路(312)，其由NMOS晶體管(N23)、(N24)組成，所述的NMOS晶體管(N23)、(N24)的漏極相連接，并與參考電壓Vref相連接，其源極分別連接位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其柵極分別連接于充電控制信號(hào)(PRC)；

一開(kāi)關(guān)電路(313)，其是由NMOS晶體管(N25)、(N28)組成，所述NMOS晶體管(N25)、(N28)的源極分別連接于位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其漏極分別與數(shù)據(jù)線(xiàn)(DA)(DA_B)相連接，其柵極連接數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)(DAEN)。

3.一種深亞微米動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的信號(hào)放大電路，包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元和靈敏放大電路，所述的存儲(chǔ)單元由兩個(gè)電容和兩個(gè)晶體管組成，單元的數(shù)據(jù)決定于存儲(chǔ)在電容中的電荷，晶體管的開(kāi)關(guān)控制數(shù)據(jù)的存??；所述的存儲(chǔ)單元通過(guò)共同的板極連接在一起，靈敏放大電路與晶體管的源極相連，將位線(xiàn)電壓的微小改變放大，從而讀出數(shù)據(jù)，其特征在于，所述的靈敏放大電路包括：

一交叉耦合放大電路(405)，其是由PMOS晶體管(P12)、(P13)、(P11)和NMOS晶體管(N37)、(N38)組成，其中所述PMOS晶體管(P12)、(P13)的源極相連，所獲得的結(jié)點(diǎn)與PMOS晶體管(P11)的漏極相連；

所述PMOS晶體管(P11)的源極與VCC相連，其柵極連接控制靈敏放大電路工作的信號(hào)(SA_B)，NMOS晶體管(N37)、(N38)的源極相連接，所獲得的結(jié)點(diǎn)接地(GND)；

一位線(xiàn)充電電路(406)，其由NMOS晶體管(N35)、(N34)組成，所述的NMOS晶體管(N34)、(N35)的漏極相連接，所獲得的結(jié)點(diǎn)接地(GND)，其源極分別連接位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其柵極分別連接于充電控制信號(hào)(PRC)；

一開(kāi)關(guān)電路(407)，其是由NMOS晶體管(N36)、(N39)組成，所述NMOS晶體管(N36)、(N39)的源極分別連接于位線(xiàn)(BL)、(BL_B)，其漏極分別與數(shù)據(jù)線(xiàn)(DA)、(DA_B)相連接，其柵極連接數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)控制信號(hào)(DAEN)。