[發明專利]傳輸腔室有效
| 申請號： | 200610112977.8 | 申請日： | 2006-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN101145537A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發明（設計）人： | 張金斌 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮勇;王連軍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳輸 | ||
【權利要求書】：
1.一種傳輸腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口設有上蓋，腔壁與上蓋接觸的部位設有密封裝置，其特征在于，所述的密封裝置包括設于腔壁上緣的密封槽，密封槽內設有密封圈，所述密封槽內側邊緣的高度低于密封槽外側邊緣的高度。
2.根據權利要求1所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽內側邊緣的上表面為內低外高的坡面。
3.根據權利要求1所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽內側邊緣的上表面為平面。
4.根據權利要求1、2或3所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽的橫截面為矩形、梯形、半圓形或三角形。
5.根據權利要求4所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的密封槽的橫截面為上窄下寬的梯形。
6.根據權利要求1所述的傳輸腔室，其特征在于，所述的腔室的上口為圓形、橢圓形或多邊形。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
