[發(fā)明專利]傳輸腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610112977.8
• 申請日: 2006-09-13
• 公開（公告）號: CN101145537A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張金斌
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇;王連軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備，尤其涉及一種硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體硅片加工集群設(shè)備的硅片傳輸系統(tǒng)中，傳輸腔室有各種各樣的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，是一種普遍采用的傳輸腔室的結(jié)構(gòu)圖。腔室上表面開有燕尾槽，其作用是放置密封圈，然后便可把用于密封的腔室上蓋放置在密封圈上，使傳輸腔室內(nèi)部形成密閉的空間。由于硅片的制程要求硅片表面保持高度潔凈，并且要求在高真空的環(huán)境下加工硅片，所以傳輸腔室內(nèi)部也要保持真空狀態(tài)，這樣就要求傳輸腔室與其上蓋之間要有良好的密封性。傳輸腔室的尺寸較大，尤其是用于300毫米硅片的傳輸腔室，其圓形上蓋的直徑接近1米，一旦傳輸腔室處于真空狀態(tài)，上蓋必然在巨大的大氣壓力下產(chǎn)生形變，從而對密封性能產(chǎn)生負(fù)面影響。

如圖2所示，傳輸腔室上端開有圓形開口，腔壁1的上緣開有燕尾型密封槽4，密封圈5放入密封槽4中，要求密封圈4突出腔壁1的上表面，以保證其具有適當(dāng)?shù)膲嚎s量，然后把底面平整的上蓋3放到密封圈5上，其間形成密閉的腔室2。當(dāng)對腔室2抽真空時，上蓋1在壓差的作用下向下壓緊密封圈5，使密封圈5與上蓋3和腔壁1之間形成密實的接觸，從而形成密封。

由于傳輸腔室內(nèi)部是真空，加上腔室2的上蓋3尺寸較大，以上蓋3的直徑為1米算，則整個上蓋3受到的壓力將近80000牛頓，在該壓力作用下，上蓋3會產(chǎn)生變形，其中心向下凹陷。

如圖3、圖4所示，傳輸腔室的上表面是位于同一平面內(nèi)的平整面，密封槽4兩側(cè)的高度相同，這樣一旦上蓋3在其上下壓力差下產(chǎn)生向下的形變，在整個上蓋3的中心下陷的同時上蓋3的周邊上翹，且上蓋3越大其受到的力也越大，形變也越大，其結(jié)果是上蓋3的底面與傳輸腔室腔壁1的上邊緣相切，而上蓋3原來與密封圈5緊密接觸的底面卻偏離密封圈5，其切點即是上蓋底面與腔壁2內(nèi)緣的接觸點6。由此可見，當(dāng)上蓋3發(fā)生形變后，密封圈5的壓縮程度降低，其密封性能也隨之下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、密封性好的傳輸腔室。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明的傳輸腔室，包括腔壁，腔壁形成的腔室的上口設(shè)有上蓋，腔壁與上蓋接觸的部位設(shè)有密封裝置，所述的密封裝置包括設(shè)于腔壁上緣的密封槽，密封槽內(nèi)設(shè)有密封圈，所述密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的高度。

所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為內(nèi)低外高的坡面。

所述的密封槽內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為平面。

所述的密封槽的橫截面為矩形、梯形、半圓形或三角形。

所述的密封槽的橫截面為上窄下寬的梯形。

所述的腔室的上口為圓形、橢圓形或多邊形。

由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的傳輸腔室，由于腔壁上緣的密封槽的內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽外側(cè)邊緣的高度，當(dāng)上蓋發(fā)生形變時，其下底面不會和密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣接觸，從而提高了密封性能。

結(jié)構(gòu)簡單、尤其適用于半導(dǎo)體硅片加工設(shè)備中硅片傳輸系統(tǒng)的傳輸腔室，也適用于其它設(shè)備。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的結(jié)構(gòu)示意圖：

圖2為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的腔壁與上蓋密封狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)傳輸腔室的上蓋變形狀態(tài)參考圖；

圖4為圖3的A部放大圖；

圖5為本發(fā)明傳輸腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明傳輸腔室的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖6的B部放大圖；

圖8為本發(fā)明傳輸腔室的上蓋變形狀態(tài)局部參考圖；

圖9為本發(fā)明傳輸腔室的另一個實施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明的傳輸腔室較佳的具體實施方式如圖5所示，包括腔壁1，腔壁1形成的腔室2的上口設(shè)有上蓋3，腔壁1與上蓋3接觸的部位設(shè)有密封裝置。所述的密封裝置包括設(shè)于腔壁1上緣的密封槽4，密封槽4內(nèi)可設(shè)置密封圈5。

如圖6、圖7所示，所述密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的高度低于密封槽4外側(cè)邊緣的高度。且密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的上表面為內(nèi)低外高的坡面。密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣與外側(cè)邊緣的高度差h，以及密封槽4內(nèi)側(cè)邊緣的上表面的坡度a，要保證腔室2真空狀態(tài)下，上蓋3受壓變形時，上蓋3的下表面不會碰到密封槽4的內(nèi)側(cè)邊緣，或剛剛碰到。