[發明專利]側射型發光二極管的封裝結構

無效

• 申請號: 200610111573.7
• 申請日: 2006-08-23
• 公開（公告）號: CN101132036A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發明（設計）人: 林治民;莊世任;葉寅夫
• 申請（專利權）人: 億光電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

技術領域

本發明是有關于一種發光二極管(light?emitting?diode；LED)，且特別是有關于一種側射型發光二極管的封裝結構。

背景技術

發光二極管是一種接合二極管，主要由在半導體基板上的p型外延層與n型外延層所構成。在形成外延結構之后，芯片經過切割，接著固定在面板上，然后經過打線，最后再進行封裝，形成發光二極管發光燈泡。一般而言，發光二極管使用的封裝材料為環氧樹脂(Epoxy)。

發光二極管種類繁多、用途廣泛，早已成為現代生活中不可或缺的重要工具之一。一般發光二極管主要系用于照明或警示，例如應用在家電、音響及儀表的指示燈；傳真機、條形碼閱讀機及光學鼠標的光源；以及應用在手機、個人數字助理(personal?digital?assistant；PDA)、液晶顯示器中的背光模塊及其它電子產品內。

隨著手機、PDA、背光模塊等電子產品的發展，發光二極管之發光功率的要求也越來越高。因此，如何使LED所發出的光線可以充分被利用，為目前重要考慮項目之一。傳統上，提高LED亮度的方法不外乎是改變LED的封裝結構或是改變LED芯片結構。然而，當改變LED的封裝結構時，例如使用折射率較大的封裝材料來覆蓋芯片等，則其所能提高的整體亮度有限。因為光線在傳遞的過程中，光線會被LED芯片的部分結構或本身所使用的部分材料，例如LED芯片中的半導體外延結構或電極等，吸收而降低了光線的使用率。所以，即使使用折射率較大的封裝材料，也無法大幅提高整體的亮度。但是，若改變LED芯片結構時，例如粗化LED芯片的表面、使用不同的外延材料、或是在LED芯片的底部形成反射結構等，又會在后續封裝LED芯片時，因為LED芯片的發光位置、或LED芯片所發出的光線形狀(light?pattern)等因素，而影響封裝完的LED整體亮度。如此一來，則無法再進一步提高發光二極管封裝結構的整體亮度。因此，欲制造出一種高亮度的發光二極管封裝結構，確實是一種極為困難的技術挑戰。

因此，有必要提供一種改良式的發光二極管封裝結構，以解決上述問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種側射型發光二極管的封裝結構。

為達到上述目的，本發明提供的側射型發光二極管的封裝結構包含基座、二電極、發光二極管芯片、封裝材料以及導線架。其中，基座具有一凹陷部。二電極系設置于凹陷部底部。發光二極管芯片系設置于凹陷部底部上并與二電極電性連接。其中，發光二極管芯片之基板的厚度系大于140微米。進一步，該基板的厚度可為140微米至400微米。更進一步，該基板的厚度還可為190微米至240微米。

進一步的，上述封裝材料是填入凹陷部內，以封裝發光二極管芯片。導線架是設置于基座的兩側，且與二電極電性連接。

進一步的，更可以依需求于基座之凹陷部的內側壁上設置一反射層，以進一步提高亮度。

因此，由上述本發明的內容可知，與現有技術相比，本發明的側射型發光二極管封裝結構具有較高的發光效率，其亮度約可增加30％。再者，由于本發明是利用一厚度較厚的基板來增加LED芯片側邊的出光量，所以不僅可以具有較高的發光效率，而且更可以得到體積較小的發光二極管封裝結構。

附圖說明

圖1是一種發光二極管封裝結構的剖面結構示意圖；

圖2是沿著圖1中線段I-I’的剖面示意圖；

圖3是圖1中發光二極管芯片的剖面放大示意圖。

其中附圖標記為

100：發光二極管封裝結構????102：基座

104：二電極????????????????104a：第一電極

104b：第二電極?????????????106：導線架

108：發光二極管芯片?????????108a：基板

108b：活化層????????????????109：光線

110a、110b：導線????????????112：封裝材料

114：凹陷部?????????????????114a：上部寬度

具體實施方式

下面結合附圖詳細說明本發明的具體實施方式：