[發明專利]側射型發光二極管的封裝結構無效
| 申請號： | 200610111573.7 | 申請日： | 2006-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN101132036A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 林治民;莊世任;葉寅夫 | 申請（專利權）人： | 億光電子工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 徐金國;梁揮 |
| 地址： | 中國臺灣臺北縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側射型 發光二極管 封裝 結構 | ||
1.一種側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其包含：
一基座，具有一凹陷部；
二電極，設置于該凹陷部之底部中；
一發光二極管芯片，設置于該凹陷部之底部上并與該些電極二電極電性連接，該發光二極管芯片之一基板的厚度系大于140微米以上；以及
一封裝材料，填入該凹陷部內，以封裝該發光二極管芯片。
2.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該基板的厚度為140微米至400微米。
3.根據權利要求2所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該基板的厚度為190微米至240微米。
4.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該凹陷部的上寬度為1.2厘米以下。
5.根據權利要求4所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該凹陷部的上寬度為0.3厘米至0.8厘米。
6.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，更包含一反射層，環設于該基座之該凹陷部的內側壁上。
7.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該基座的材質是選自于環氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷以及上述材料的任意組合。
8.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該些電極的材質是選自于金、銀、銅、鉑、鋁、錫、鎂以及其任意組合所組成的族群。
9.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，其中該基板的材質為藍寶石或碳化硅。
10.根據權利要求1所述的側射型發光二極管封裝結構，其特征在于，更包含一導線架，設置于該基座的外側邊且與該些電極電性連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于億光電子工業股份有限公司，未經億光電子工業股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610111573.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
