[發(fā)明專利]電鍍于封膠內(nèi)的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610111477.2 | 申請日： | 2006-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN101131979A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林鴻村 | 申請（專利權(quán)）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 臺灣省新竹縣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電鍍 封膠內(nèi) 外引 半導(dǎo)體 封裝 構(gòu)造 及其 制造 方法 | ||
1.一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其包含：
一半蝕導(dǎo)線架，其具有復(fù)數(shù)個引腳及復(fù)數(shù)個被該些引腳連接的外接墊；
一晶片，其電性連接至該些引腳；
一封膠體，其密封該晶片與該些引腳，該封膠體具有復(fù)數(shù)個沉孔，其對準(zhǔn)于該些外接墊；以及
一電鍍層，其形成于該些外接墊且嵌設(shè)于該些沉孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體的該些沉孔的孔徑是略小于該些外接墊，以界定該些外接墊的顯露面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的半蝕導(dǎo)線架另具有一晶片承座，以粘著該晶片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體另具有一下沉區(qū)，其是局部顯露該晶片承座的下表面，以利嵌埋式形成該電鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的半蝕導(dǎo)線架另具有復(fù)數(shù)個系桿，其連接該晶片承座且被該封膠體上下包覆。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體的該些沉孔的深度是介于0.05～0.2毫米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該電鍍層是選用于鎳金、錫、鎳鈀金、錫鉛、銀、錫鉍的其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其另包含有復(fù)數(shù)個焊球，其是經(jīng)由該電鍍層而接合至該些外接墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些外接墊是為多排交錯排列。
10.一種無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：
提供一導(dǎo)線架，其具有復(fù)數(shù)個引腳及復(fù)數(shù)個被該些引腳連接的外接墊；
進(jìn)行第一次半蝕刻步驟，以半蝕刻該些引腳的下表面；
在第一次半蝕刻之后，固定一晶片，并且其是電性連接至該些引腳；
形成一封膠體，其是密封該晶片與該些引腳；
當(dāng)該封膠體形成之后，進(jìn)行第二次半蝕刻步驟，以半蝕刻該些外接墊的下表面，而使該封膠體具有復(fù)數(shù)個對準(zhǔn)于該些外接墊的沉孔；以及
形成一電鍍層于該些外接墊上，并且該電鍍層是嵌設(shè)于該些沉孔內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的第一次半蝕刻步驟中，同時半蝕刻該些外接墊的下表面周緣，使得在第二次半蝕刻步驟中形成的該些沉孔的孔徑是略小于該些外接墊，以界定該些外接墊的顯露面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的半蝕導(dǎo)線架另具有一晶片承座，以粘著該晶片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的第二次半蝕刻步驟中，同時半蝕刻該晶片承座的下表面，以使該封膠體另具有一下沉區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的半蝕導(dǎo)線架另具有復(fù)數(shù)個系桿，其連接該晶片承座，且在第一次半蝕刻步驟中，同時半蝕刻該些系桿的下表面，以供該封膠體上下包覆該些系桿。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的封膠體的該些沉孔的深度是介于0.05～0.2毫米。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的電鍍層是選用于鎳金、錫、鎳鈀金，錫鉛、銀、錫鉍的其中之一。
17.根據(jù)權(quán)利要求10或16所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其另包含有：設(shè)置復(fù)數(shù)個焊球至該些沉孔，其經(jīng)由該電鍍層而接合至該些外接墊。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于其中所述的該些引腳的長度是為不一致，以使該些外接墊為多排交錯排列。
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