[發(fā)明專利]模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造與其模封陣列處理制程

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610111473.4
• 申請(qǐng)日: 2006-08-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101131971A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范文正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧

1.一種模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其主要包含：

一晶片載體，其是具有一上表面、一下表面及復(fù)數(shù)個(gè)在該上表面與該下表面之間的切割邊緣；

至少一晶片，其是設(shè)置于該晶片載體的上表面并與該晶片載體電性連接；以及

一封膠體，其是實(shí)質(zhì)覆蓋該晶片載體的上表面并密封該晶片，其中該封膠體的其中兩側(cè)是各形成為一模流限制部，其是較低于該封膠體的中央頂面且對(duì)齊至該晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些模流限制部是具有一側(cè)頂面，由該些側(cè)頂面至該晶片載體的上表面的一第一高度是降低而接近至由該封膠體的中央頂面至該晶片的主動(dòng)面的一第二高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中該封裝構(gòu)造是概呈矩形方塊體，該兩模流限制部是為條狀，而該封膠體的其余兩側(cè)則不形成有模流限制部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些模流限制部的寬度是不超過(guò)該晶片的側(cè)面，且該些模流限制部至該晶片側(cè)面的間隙是大致等同或小于前述第一高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)焊線，其是電性連接該晶片與該晶片載體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是貼附于該晶片載體的上表面，且該晶片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊是對(duì)準(zhǔn)在該晶片載體的一槽孔內(nèi)，該些焊線是通過(guò)該槽孔電性連接該些焊墊至該晶片載體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是遠(yuǎn)離該晶片載體的上表面，并以該些焊線將該晶片在該主動(dòng)面上的焊墊電性連接至該晶片載體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其另包含有復(fù)數(shù)個(gè)外接端子，其是接合在該晶片載體的下表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的模封陣列處理的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些外接端子是包含焊球。

10.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其至少包含以下步驟：

提供一基板條，其是包含復(fù)數(shù)個(gè)陣列且一體連接的晶片載體，該些晶片載體是具有一上表面與一下表面；

設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)晶片于該些晶片載體的上表面；

電性連接該些晶片與該些晶片載體；

以轉(zhuǎn)移模制方式形成一封膠體，其是一體實(shí)質(zhì)覆蓋該些晶片載體的上表面以密封該些晶片，其中該封膠體對(duì)應(yīng)在每一晶片載體的其中兩側(cè)各形成為一模流限制部，其是較低于該封膠體的中央頂面，以減緩兩側(cè)模流速度；以及

切割該封膠體與該基板條，以使每一晶片載體是具有復(fù)數(shù)個(gè)在該上表面與該下表面之間的切割邊緣，切割單離后的封膠體的模流限制部是對(duì)齊至對(duì)應(yīng)晶片載體的對(duì)應(yīng)切割邊緣。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其中所述的每一模流限制部是具有一側(cè)頂面，由該些側(cè)頂面至該些晶片載體的上表面的一第一高度是降低而接近至由該封膠體的中央頂面至對(duì)應(yīng)晶片的主動(dòng)面的一第二高度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其中在切割后的復(fù)數(shù)個(gè)封裝構(gòu)造是概呈矩形方塊體，該些模流限制部是為條狀，而該些封膠體的其余兩側(cè)則不形成有模流限制部。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其中所述的該些模流限制部的寬度是不超過(guò)對(duì)應(yīng)該些晶片的側(cè)面，且該些模流限制部至對(duì)應(yīng)晶片側(cè)面的間隙是大致等同或小于前述第一高度。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其中所述的電性連接步驟中是以復(fù)數(shù)個(gè)焊線電性連接該些晶片與該些晶片載體。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的模封陣列處理制程，其特征在于其中所述的晶片的一主動(dòng)面是貼附于該晶片載體的上表面，且該晶片的復(fù)數(shù)個(gè)焊墊是對(duì)準(zhǔn)在該晶片載體的一槽孔內(nèi)，該些焊線是通過(guò)該槽孔電性連接該些焊墊至該晶片載體。