[發明專利]微電子元件的表面處理、分類與組裝方法及其儲存結構

無效

• 申請號: 200610105947.4
• 申請日: 2006-07-19
• 公開（公告）號: CN101110348A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 張光曄;于勁
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種微電子元件的表面處理方法，適用于完成后段工藝的芯片，包括：

于該芯片的表面形成可溶于溶劑的聚合物層，以隔絕完成后段工藝的該芯片表面與外界環境。

2.如權利要求1所述的微電子元件的表面處理方法，其中該可溶于溶劑的聚合物層的材料包括六甲基二硅氮烷、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷或二甲基甲硅烷基二乙胺。

3.如權利要求2所述的微電子元件的表面處理方法，其中形成該可溶于溶劑的聚合物層的溫度在90℃～120℃之間以及時間在30秒～90秒之間。

4.如權利要求1所述的微電子元件的表面處理方法，其中于該芯片的表面形成該可溶于溶劑的聚合物層的方法包括物理氣相沉積法。

5.如權利要求1所述的微電子元件的表面處理方法，其中于該芯片的表面形成該可溶于溶劑的聚合物層之前，還包括進行去水氣步驟。

6.一種微電子元件的分類方法，包括：

提供芯片；

對該芯片進行權利要求1所述的表面處理方法，以于該芯片的表面形成防水層，其中該防水層的材料是可溶于溶劑的聚合物；以及

利用探針穿過該防水層，以進行測試。

7.如權利要求6所述的微電子元件的分類方法，其中形成該防水層的方法包括物理氣相沉積法。

8.如權利要求6所述的微電子元件的分類方法，其中該防水層的材料包括六甲基二硅氮烷、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷或二甲基甲硅烷基二乙胺。

9.如權利要求6所述的微電子元件的分類方法，其中形成該防水層之前還包括對該芯片進行去水氣步驟。

10.一種微電子元件的組裝方法，包括：

提供芯片與電路基板；

對該芯片進行權利要求1所述的表面處理方法，以于該芯片的表面形成防水層，其中該防水層的材料是可溶于溶劑的聚合物；

在接合步驟之前去除該防水層；以及

接合該芯片與該電路基板。

11.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中形成該防水層的方法包括物理氣相沉積法。

12.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中去除該防水層時，同時清洗該芯片的表面。

13.如權利要求12所述的微電子元件的組裝方法，其中去除該防水層的方法包括：使用異丙醇的溶劑清洗或是以去離子水加超音波及過氧化氫、氨水或稀氫氟酸的方式洗滌。

14.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中去除該防水層的方法包括使用強堿溶液清洗、使用濕式清潔劑清洗或以等離子體剝除的方式清洗。

15.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中該防水層的材料包括六甲基二硅氮烷、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷或二甲基甲硅烷基二乙胺。

16.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中去除該防水層之后還包括對該芯片進行晶背研磨步驟。

17.如權利要求10所述的微電子元件的組裝方法，其中形成該防水層之前還包括對該芯片進行去水氣步驟。

18.一種微電子元件的儲存結構，包括：

芯片，該芯片已完成后段工藝；以及

可溶于溶劑的聚合物層，覆蓋于該芯片的表面，以隔絕該芯片的表面與外界環境。

19.如權利要求18所述的微電子元件的儲存結構，其中該可溶于溶劑的聚合物層的材料包括六甲基二硅氮烷、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷或二甲基甲硅烷基二乙胺。

20.如權利要求18所述的微電子元件的儲存結構，其中該可溶于溶劑的聚合物層的厚度在數埃到數十埃之間。