[發明專利]微電子元件的表面處理、分類與組裝方法及其儲存結構

無效

• 申請號: 200610105947.4
• 申請日: 2006-07-19
• 公開（公告）號: CN101110348A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 張光曄;于勁
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

技術領域

本發明涉及一種針對微電子元件(microelectronic?device)的處理，尤其涉及一種微電子元件的表面處理(surface?treatment)、分類(sort)與組裝(assembling)方法及其儲存結構(storage?structure)。

背景技術

微電子元件在最終組裝前的儲存期間常受到外界環境的影響。舉例來說，經長時間儲存微電子元件后，發現微電子元件的芯片(chip)表面會有腐蝕(corrosion)、褪色(discolor)或者分層化(delaminating)的現象發生，進而導致最后產品的碎屑。

發明內容

本發明的目的是提供一種微電子元件的表面處理方法，以保護微電子元件的芯片表面不受外界不良環境影響，且沒有復雜及高成本的工藝。

本發明的再一目的是提供一種微電子元件的分類方法(wafer?sort)，可在不影響測試準確性(testing?accuracy)與探針尖端潔凈(cleanliness)的情形下，防止芯片表面被污染。

本發明的又一目的是提供一種微電子元件的組裝方法，不影響接合操作(bonding?operation)與品質下維持芯片表面的潔凈。

本發明的另一目的是提供一種微電子元件的儲存結構，可避免芯片在儲存期間所發生的表面腐蝕(corrosion)、褪色(discolor)或者分層化(delaminating)的現象。

本發明提出一種微電子元件的表面處理方法，適用于完成后段工藝(back-end-of-line，BEOL)的芯片。這種方法包括于前述芯片的表面形成一層可溶于溶劑的聚合物層(solvent?dissolvable?polymer?layer)，以隔絕完成后段工藝的芯片表面與外界環境。

依照本發明的第一實施例所述微電子元件的表面處理方法，上述可溶于溶劑的聚合物層的材料包括六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane，HMDS)、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷(bis(dimethylamino)dimethylailane，BDMAS)、二甲基甲硅烷基二乙胺(dimethylsilyldiethylamine，DMSEDA)或其它適合的聚合物。而且，形成可溶于溶劑的聚合物層的溫度約在90℃～120℃之間及時間約在30秒～90秒之間。

依照本發明的第一實施例所述微電子元件的表面處理方法，上述于芯片的表面形成可溶于溶劑的聚合物層的方法包括物理氣相沉積法。

依照本發明的第一實施例所述微電子元件的表面處理方法，上述于芯片的表面形成可溶于溶劑的聚合物層之前，還包括進行一道去水氣步驟(dehydration?step)。

本發明另提出一種微電子元件的分類方法，包括提供一個芯片，再對芯片進行上述表面處理方法，以于芯片的表面形成一層防水層，其中防水層的材料是可溶于溶劑的聚合物。接著，利用一探針穿過防水層，以進行測試。

本發明再提出一種微電子元件的組裝方法，包括分別提供一個芯片與一個電路基板(circuit?substrate)。然后，對前述芯片進行上述表面處理方法，以于芯片的表面形成一層防水層，其中防水層的材料是可溶于溶劑的聚合物。之后，在接合步驟之前去除上述防水層，再接合芯片與電路基板。

依照本發明的第三實施例所述微電子元件的組裝方法，上述去除防水層時，可同時清洗芯片的表面。例如，使用異丙醇(isopropyl?alcohol，IPA)的溶劑清洗或是以去離子水加超音波及過氧化氫、氨水或稀氫氟酸(DiluteHF，DHF)的方式洗滌。

依照本發明的第三實施例所述微電子元件的組裝方法，上述去除防水層的方法包括使用強堿溶液清洗、使用濕式清潔劑(wet?stripper)清洗或以等離子體剝除的方式清洗。

依照本發明的第三實施例所述微電子元件的組裝方法，上述去除防水層之后還包括對芯片進行一道晶背研磨步驟(back?grinding?step)。

依照本發明的各實施例所述的方法，前述形成防水層的方法包括物理氣相沉積法或其它適合的方法。

依照本發明的各實施例所述的方法，前述防水層的材料包括六甲基二硅氮烷(HMDS)、雙(二甲基氨基)二甲基甲硅烷(BDMAS)、二甲基甲硅烷基二乙胺(DMSEDA)或其它適合的聚合物。

依照本發明的各實施例所述的方法，前述防水層形成前還包括對芯片進行一道去水氣步驟。